Samsung, rakipleriyle rekabete hazırlanırken ilk 900 katmanlı prototipini duyurarak 1000 katmanlı V-NAND teknolojisine bir adım daha yaklaştı.
Samsung 900 Katmanlı V-NAND Prototipi İki 450 Katmanlı Hücreyi Tek Cihazda Birleştiriyor, 1000 Katmanlı NAND'e Yaklaşıyor
Depolama yarı iletkenleri alanında öncü bir şirket olan Samsung, V-NAND teknolojisiyle piyasada öne çıkıyor. Şirket, 2024 yılında yeni "ferroelektrik" malzemeler kullanarak 1000 katmanlı NAND teknolojisini piyasaya sürmeyi planlıyordu.
Edinilen bilgilere göre Samsung, CMB (Cell Multi-Bonding) teknolojisini kullanarak ilk 900 katmanlı V-NAND teknolojisine ulaştı. Bu teknoloji, temel olarak iki adet 450 katmanlı hücre yığınını tek bir cihazda birleştiriyor. 900 katmanlı V-NAND ile Samsung, sunucular, masaüstü bilgisayarlar, dizüstü bilgisayarlar, akıllı telefonlar ve daha fazlası gibi kurumsal ve tüketici segmentlerini kapsayan SSD'ler gibi depolama çözümlerinin kapasitesini önemli ölçüde artırabilecek.
Çarpıcı bir 900 katmanlı V-NAND elde etmek için Samsung'un karşılaştığı bazı engeller vardı; bunlar arasında en önemlisiwafer bükülme endişesiydi. Ancak Üst Sıkıştırma Tasarımı'nın tanıtılmasıyla bu sorun çözüldü. Diğer düzeltmeler arasında "Overlay Correction" teknolojilerinin kullanımıyla hizalama hataları giderildi.
Şu anda 321 katmanlı NAND teknolojisini geliştiren ve sunan ilk şirket SK Hynix. 400 katmanlı NAND üzerinde çalışmalar devam ediyor. Bu teknoloji, Samsung'daki Dikey Yapıştırma ve SK Hynix'teki Hibrit Yapıştırma kullanılarak gerçekleştirilecek.
Aynı zamanda Çinli YMTC (Yangtze Memory Technologies Co.) de NAND planlarını hızlandırıyor. Şirket halihazırda 294 ve 232 katmanlı NAND cihazları sunuyor ve Samsung, SK Hynix ve Micron gibi küresel şirketlerle arasındaki farkı kapatıyor. YMTC, yapay zeka hiper döngüsü nedeniyle piyasaların önemli bir arz-talep açığı yaşadığı kritik bir zamanda mevcut wafer üretim kapasitesini ikiye katlaması beklenen yeni fabrikalara büyük yatırımlar yapıyor.
900 katman ve üzeri elde etmek için kullanılan bu yığınlanmış NAND yaklaşımı henüz prototip aşamasında olsa da, gelecekteki depolama genişlemesinin yolunu açıyor. 1000 katmanlı V-NAND'in şu anda 2030 yılında piyasaya sürülmesi hedefleniyor, önümüzdeki yıllarda ise 400 katmanlı çözümlerin yaygınlaşması bekleniyor.
