Akıllı telefonlardaki yapay zeka yetenekleri, özellikle cihaz üzerinde çalışan uygulamalar söz konusu olduğunda, önemli bir gelişim göstermiş olsa da, çip paketleme ve DRAM (Dinamik Rastgele Erişim Belleği) sınırlamaları nedeniyle ilerleme potansiyeli kısmen engelleniyordu. Bu engellerden birinin aşıldığı ve diğerinin de SK Hynix'in geliştirdiği yeni mimari sayesinde ortadan kalkabileceği belirtiliyor.
SK Hynix, Cihaz İçi Yapay Zeka Sınırlarını Kaldırmak İçin Mühendisler Arıyor
SK Hynix, akıllı telefonlarda cihaz içi yapay zeka yeteneklerini kısıtlayan sorunları çözmek amacıyla geliştirdiği 3D yığın DRAM-üzeri-mantık mimarisi üzerine çalışmalarını hızlandırıyor. Bu yeni nesil bellek teknolojisi, çipin doğrudan üzerine yerleştirilecek ve kenar yapay zeka hesaplamalarında kritik bir rol oynayacak.
Gelen bilgilere göre, SK Hynix ABD'deki yan kuruluşu aracılığıyla tasarım mühendisleri işe alarak bu teknolojinin geliştirilmesini hızlandırmaya başladı. Şirket, bu teknolojiyi kullanmak üzere adı açıklanmayan bir müşteriyle de bir ortaklık kurdu. Bu müşterinin, eski InFO-PoP paketleme teknolojisinden vazgeçerek daha yeni WMCM (Wafer-Level Multi-Chip Module) paketleme çözümünü kullanması beklenen Apple olması kuvvetle muhtemel.
3D yığın DRAM-üzeri-mantık mimarisi, yalnızca iki çipin üst üste yerleştirildiği PoP (Package on Package) teknolojisinden tamamen farklı bir yapı sunuyor. Bu yeni nesil paketleme, çipler arasındaki mesafeyi kısaltırken, aynı alanda daha fazla veri aktarım kanalı sağlıyor. Bu sayede veri aktarımındaki gecikmelerin azaltılmasının yanı sıra, bu teknolojiye sahip akıllı telefonlarda güç verimliliği ve alan kullanımı da önemli ölçüde artacak.
SK Hynix'in yaklaşımı, akıllı telefonların tam anlamıyla cihaz içi yapay zeka cihazları haline gelmesinin önündeki sınırlamaları kaldırmak için şüphesiz bir atılım niteliğinde. Ancak, bu alanda başka çalışmalar da mevcut. Örneğin, Qualcomm, yapay sinir ağları işlemcileri (NPU) için 3D DRAM geliştirmekte ve bu teknolojiyi akıllı telefonlara getirmek için yerel ortaklarla iş birliği yapıyor.
Benzer şekilde, Samsung da geleneksel LPDDR5X DRAM'e kıyasla %150'ye kadar daha yüksek bant genişliği sunmayı hedefleyen, ancak daha yüksek sıcaklıklar olmadan HBM (Yüksek Bant Genişlikli Bellek) entegrasyonunu taklit eden Düşük Gecikmeli Geniş DRAM (LLW) üzerinde çalışıyor. Ayrıca, Huawei de akıllı telefonlara HBM bellek getirme çabası içinde, ancak bu belleğin veri merkezlerine daha uygun olduğu, yığılmış tasarımı, yüksek fiyatı ve düşük verimliliği göz önüne alındığında, Samsung'un Exynos 2600 yongasındaki bellek gibi özel bir çözüm olması bekleniyor.
Akıllı telefonlarda cihaz içi yapay zekayı tam anlamıyla deneyimlemek için yeterli ve hızlı bellek erişimine ihtiyaç duyuluyor. Mevcut durumda bazı amiral gemisi işlemcilerin bellek bant genişliğinin sınırlı kaldığı görülüyor. Bu durum, sektörde yeni bir yol açmak için yeni paketleme teknolojilerinin zorunlu hale geldiğini gösteriyor. Bu yeni teknolojinin ilk benimseyenlerden biri Apple olsa da, bu yıl piyasaya sürülecek modellerde hemen görülmeyebileceği, ancak gelecek yıllarda önemli sürprizlere yol açabileceği tahmin ediliyor.
