Samsung, geleceğin depolama çözümleri için NAND Flash teknolojisinde sınırları zorluyor. Firma, SSD'lerde kullanılacak yeni nesil NAND Flash belleklerinde 900 katmanın üzerine çıkmayı hedefliyor. Bu hedefe ulaşmak için iki adet 450 katmanlı NAND hücresini tek bir çipte birleştirme tekniğini kullanıyor.
Samsung, İki NAND Hücresini Birleştirerek Geleceğin SSD'leri İçin 900-1000 Katmanlı Büyük Bir Depolama Çözümü Oluşturuyor
Samsung, daha yüksek depolama kapasiteleri sunacak olan 1000 katmanlı NAND teknolojisine doğru ilerleme kaydettiğini daha önce duyurmuştu. Bu hedefe nasıl ulaşacaklarına dair ayrıntıları VLSI Symposium 2026'da paylaştı. Firma, yüksek kapasiteli SSD'lere olan büyük talebi karşılamak amacıyla katman sayısını artırmaya odaklanan hızlandırılmış bir yol haritası üzerinde çalıştığını belirtti.
Mevcut durumda NAND üreticileri 400 katman seviyesine ulaşmış durumda ve 2030 yılına kadar yüksek kapasiteli uygulamalar için bu sayıyı 1000 katmana çıkarma hedefindeler. Samsung'un yol haritasına göre, 2029 yılına kadar 420 katmanlı NAND çözümleri, 2030 yılına kadar ise 560 katmanın üzerine çıkılması planlanıyor. Ardından, önümüzdeki on yılın başında, Samsung bu sayıyı ikiye katlayarak 1000 katmanın üzerine çıkmayı öngörüyor.
Katman sayısının ikiye katlanması, şişme ve maliyet gibi bazı zorlukları da beraberinde getirecek. Ancak Samsung bu sorunlar için şimdiden çözümler geliştiriyor. Üretici, şişme kontrolü için geleceğe yönelik tasarımı başarıyla uyguladığını ve yeni süreçlerin gelişmiş hizalama düzeltmelerine olanak tanıdığını belirtiyor.
Şu anda en yüksek katman sayısına sahip teknolojiye sahip olan SK Hynix, 321 katmanlı NAND teknolojisini geliştiren ve sunan ilk firma olarak öne çıkıyor. 400 katmanlı NAND üzerinde çalışmalar devam ediyor ve bu teknolojiye hem Samsung'da hem de SK Hynix'de dikey ve hibrit birleştirme yöntemleriyle ulaşılması bekleniyor.
Samsung'un 900/1000 katmanlı NAND çözümünde, her biri CMB (Cell-Multi Bonding) teknolojisi ile birbirine bağlanan iki adet 450 katmanlı hücre yer alıyor. Bu tür bir çözümle, 8 TB kapasiteli bir QLC SSD'nin 32 TB'a kadar kapasite sunabileceği tahmin ediliyor.
Diğer yandan, Çinli YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) de NAND planlarını hızlandırıyor. Firma şimdiden 294 ve 232 katmanlı NAND cihazları sunuyor ve Samsung, SK Hynix ve Micron gibi uluslararası firmalarla arasındaki farkı kapatıyor. YMTC, yapay zeka kaynaklı yaşanan tedarik-talep dengesizliği döneminde, çip üretim kapasitesini ikiye katlayacak yeni fabrikalara da büyük yatırımlar yapıyor.
900 katmanın üzerine çıkmak için kullanılan istiflenmiş NAND yaklaşımı henüz prototip aşamasında olsa da, gelecekteki depolama genişlemesinin önünü açıyor. 1000 katmanlı V-NAND'ın 2030 yılına doğru piyasaya sürülmesi hedeflenirken, 400 katmanın üzerindeki çözümlerin önümüzdeki birkaç yıl içinde kullanıma sunulması bekleniyor.
