Teknoloji dünyasının devlerinden Samsung, yapay zeka hesaplama alanında kritik öneme sahip olan Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) çipleri için üretim süreçlerinde radikal bir değişikliğe hazırlanıyor. Sektör kaynaklarından edinilen bilgilere göre, Koreli çip üreticisi, yapımı devam eden araştırma ve geliştirme tesislerindeki bir üretim hattını, HBM bellek çiplerinin temel mantık kalıplarını üretmek üzere dönüştürmeyi planlıyor. Bu tesisin yaklaşık iki yıl sonra faaliyete geçmesi öngörüldüğünden, planlarda revizyonlar olabileceği de belirtiliyor.
Yapay zeka hesaplama uygulamalarında yoğun olarak kullanılan HBM bellek çiplerinin tasarımı, çok sayıda DRAM bellek yongasının üst üste istiflenmesini gerektiriyor. Hesaplama altyapılarının performans gereksinimleri arttıkça, bu çiplerin tasarımı da evriliyor. Üst üste istiflenen DRAM katmanlarının sayısı kadar, HBM bellek çiplerindeki temel kalıbın (base die) tasarımı da evrim geçiren önemli bir faktör.
Temel kalıptaki ilk önemli gelişme, üreticilerin HBM3 ve HBM3E bellek çiplerine geçişiyle yaşandı. Bu geçiş, veri hızları ve pin hızlarının önceki nesil bellek çiplerine göre önemli ölçüde artmasıyla birlikte, temel kalıp için ilk kez Yonga Döküm Fabrikası (IC Foundry) düğüm süreçlerine geçişi beraberinde getirdi. Sonuç olarak, temel kalıp 20 nanometreden 12 nanometreye kadar değişen mantık düğümlerine dayanmaya başladı.
Bir sonraki büyük adım, güncel yapay zeka ürünlerinde, örneğin NVIDIA'nın en yeni Rubin çiplerinde kullanılan HBM4 bellek çipleriyle geldi. Yüksek veri hızları, daha geniş veri yolları ve daha fazla TSV (Through-Silicon Via) gereksinimi, Samsung Foundry ve TSMC gibi dökümhanelerin HBM çip temel kalıbının üretiminde rol üstlenmesine neden oldu.
Şimdi ise gelen bilgilere göre, Samsung, Kore'nin Giheung sanayi bölgesindeki yapımı süren araştırma ve geliştirme tesislerinde bulunan bir üretim hattını, 2 nanometre çip üretim teknolojisiyle HBM temel kalıpları üretmek üzere yeniden yapılandırmakla ilgileniyor. Bu üretim hattının, özellikle NVIDIA'nın yapay zeka çipleri için kullanılabileceği ve NRD-K Line 2 olarak adlandırılan hattın bu amaçla değerlendirilebileceği belirtiliyor.
Daha önce bu yılın başlarında Samsung, HBM4 bellek çipleri için 4 nanometre üretim teknolojisini kullanacağını duyurmuştu. Samsung'un yanı sıra SK hynix de HBM çiplerinde bir dökümhane ile çalışacak ve TSMC ile işbirliği yapmış durumda. TSMC, HBM bellek çipleri üretimi için hem olgun N12 düğümünü hem de gelişmiş N5 düğümünü seçenek olarak sunuyor. Bellek sektöründeki üçüncü büyük oyuncu Micron da HBM4 bellek çipleri için TSMC ile ortaklık kurmuştu.
Samsung'un bu hamlesi, yapay zeka teknolojisinin kalbinde yer alan HBM belleklerin performansını daha da ileriye taşıma potansiyeli taşıyor.
