Samsung, Exynos 2600 yongasında sunduğu yenilikçi soğutucu bloğuyla termal kararlılıkta önemli bir adım atmıştı. Şimdi ise merakla beklenen Exynos 2700 ile bu ivmeyi daha da ileri taşımayı hedefliyor. Yeni nesil yonga, yenilikçi yan yana (SBS) mimarisini ve geliştirilmiş bir soğutucu bloğunu bir araya getirerek bellek bant genişliğinde gözle görülür bir sıçrama vaat ediyor.
Samsung, Yenilikçi SBS Mimari ve Geliştirilmiş Soğutucu ile Exynos 2700'ün Performansını Artırmayı Hedefliyor
Exynos 2700 yongasının, Exynos 2600'de kullanılan 2nm GAA sürecinin yeni nesli olan Samsung'un SF2P sürecinden faydalanması bekleniyor.
Gate-All-Around (GAA) teknolojisi, transistörün kanalını her dört taraftan saran bir yapıyla daha iyi elektrostatik kontrol ve daha düşük voltaj eşiği sağlayarak performansı artırır. Samsung'un yeni SF2P süreci, önceki nesil SF2 düğümüne kıyasla %12'lik bir performans artışı ve %25'lik bir enerji tüketimi azalması sunacak.
Ancak Exynos 2700'deki en büyük yenilik mimarisinde karşımıza çıkacak. Exynos 2600'de RAM, SoC'nin üzerine yerleştirilmiş ve aralarında bakır tabanlı bir soğutucu bulunuyordu. Bu tasarım termal verimliliği artırsa da, SoC ve RAM arasındaki ısıyı hapsediyordu.
Exynos 2700 ile Samsung, Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP) teknolojisini kullanarak RAM'i SoC ile yan yana yerleştirecek. Bu mimari, daha kısa ara bağlantılar sayesinde bellek bant genişliğinde tahmini %30 ila %40'lık bir artış sağlayacak ve güç verimliliğini de iyileştirecek. Ayrıca, soğutucu blok SoC ve RAM'in üzerine yerleştirilerek yonganın termal kararlılığında önemli iyileştirmeler sunacak.
Exynos 2600, halihazırda rakip ürünlerden daha iyi termal performansa sahip. Samsung'un yeni nesil Exynos 2700 ile getirdiği yenilikler, bu üstünlüğün daha da pekişmesini sağlayacak.
