Samsung, 10 nanometrenin altında bir üretim teknolojisi kullanan ilk 'bağımsız' DRAM modülünü üreterek sektörde çığır açtı.
Samsung'un Yeni 10nm Altı DRAM Teknolojisi Kapasiteyi Artıracak, Yeni Malzemeler Kullanacak
Uzun bir süredir DRAM sektöründe entegre devrelerin üretimi için 10nm işlem teknolojisi kullanılıyordu. 10nm DRAM teknolojileri 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c ve 1d gibi adlarla anılıyor. Şimdi ise Samsung, resmi '10nm' işlem sınırının altına inen yepyeni bir 10a işlem teknolojisi üzerinde çalışıyor.
10a ile birlikte, işlem teknolojisinin 9.5-9.7nm'ye kadar ölçekleneceği analiz ediliyor ve bu da onu sektördeki ilk 10nm altı işlem teknolojisi yapıyor. Yeni teknolojiyi mümkün kılan temel değişiklikler ise '4F Kare Hücre Yapısı' ve VCT (Dikey Kanal Transistörü) işlemidir.
Şu an itibarıyla Samsung'un bu değişikliklerle birlikte 10a DRAM'inin geliştirilmesini bu yıl içinde tamamlaması bekleniyor ve seri üretime 2028 yılında başlanması planlanıyor. Bu yeni yapı ilk olarak 10a'da benimsenerek 10b ve 10c nesillerinde daha da geliştirilecek. 10d DRAM ise 3D DRAM teknolojisine geçiş yapacak ve 2029-2030 yıllarında piyasaya sürülmesi bekleniyor.
Mevcut DRAM ürünleri, 3Fx2F boyutlarında dikdörtgen bir blok oluşturan 6F yapısını kullanıyor. 4F yapısı ile daha kare bir yapı (2Fx2F) elde ediliyor. Sadece yapıyı 4F'ye değiştirerek, DRAM üreticileri her bir Yonga'nın hücre yoğunluğunu %30-50 oranında artırabiliyor. Bu, sadece daha yoğun kapasite sağlamakla kalmıyor, aynı zamanda güç tasarrufuna da yardımcı oluyor.
Yeni DRAM, önceki ürünlerde kullanılan Silikon'a kıyasla İndiyum Galyum Çinko Oksit (IGZO) gibi daha yeni malzemelerden de yararlanacak. IGZO ile daha dar hücrelerde daha az sızıntı olacak ve veri saklama güvencesi sağlanacak.
Samsung'un rakiplerinden Micron gibi firmalar, şu anda 4F planlarını askıya almış durumda ve doğrudan 3D DRAM'i bekleyecekler.
Bu arada, gelişmiş litografi ekipmanlarına erişimi olmayan Çinli üreticiler 3D DRAM üretimi konusunda zorluk yaşayacaklar. Ancak 3D DRAM'in 3D NAND'ın tasarımına benzer bir olasılığa sahip olması, Çinli üreticilere bir miktar umut veriyor. Bu sırada, yapay zeka segmentindeki artan talebi karşılamak amacıyla 3D DRAM'in geliştirilmesi, bu teknoloji üzerinde çalışan birçok firma ile hızlanıyor.
