Intel, stratejik hamlelerinin finansal karşılığını almaya hazırlanırken, hızla genişleyen EMIB-T kapasitesi ve yüksek NNA EUV teknolojisindeki Samsung ve TSMC'ye karşı elde ettiği üstünlükle dikkat çekiyor. Firma, bu alanda rakiplerinin en az 2-4 yıl önünde olduğunu gösterdi.
UBS'ten Kritik Tahmin: Intel, MediaTek'in TPU İhtiyaçlarını Rahatlıkla Karşılayacak
UBS'in analizlerine göre, teknoloji dünyası Intel'in EMIB-T çözümüne yönelik artan bir iyimserlik içinde. Özellikle çözümün uygulama stratejisi ve üretim verimliliği, bu iyimserliğin temelini oluşturuyor. UBS, 2028 yılına kadar EMIB-T'nin 2 milyonun üzerinde çip altlığını paketleyebileceğini ve bu sayede MediaTek'in artan taleplerini karşılayabileceğini öngörüyor. MediaTek'in, Google'ın yeni nesil TPU v9 yapay zeka çip serisi için ana tasarım ve geliştirme ortağı olduğunu belirtmekte fayda var. Bu seride 2nm "Humufish" ve geliştirilmiş "Triggerfish" modelleri yer alıyor.
Intel'in EMIB teknolojisi, birden fazla çiplet'i (küçük yonga parçaları) tek bir işlemci paketinde, organik alt katmana gömülü minyatür silikon "köprüler" aracılığıyla birbirine bağlıyor. Bu yapıda, çipletlerin köprüyle buluştuğu kenarlarda yüksek yoğunluklu mikro-toplar bulunuyor.
EMIB-T ise bu yaklaşımı bir adım öteye taşıyarak, doğrudan gömülü silikon köprüler aracılığıyla Through-Silicon Vias (TSV) teknolojisini kullanıyor. Bu dikey bağlantı kanalları, güç ve yüksek hızlı sinyallerin çip paketinin altından, köprü aracılığıyla yukarı doğru, üstte yer alan işlemcilere veya belleklere akmasını sağlıyor. Bu da 3D istifleme olanağı sunuyor.
Intel'in EMIB-T çözümünde kullanılan alt katman şu bileşenlerden oluşuyor:
- Silikon köprülerin yerleştirildiği hassas delikli boşluklara sahip, Ibiden (başlıca tedarikçi), Shinko, Unimicron ve AT&S tarafından üretilen taban organik panel.
- Gömülü köprülerin üzerine doğrudan lamine edilen yalıtım katmanları olan Dielektrik Birikim Katmanı. Bu katmanda endüstri standardı Ajinomoto Build-up Film (ABF) kullanılıyor.
- Gücü dikey olarak yönlendirmek için Through-Silicon Vias (TSV) içeren silikon köprüler.
Intel'in EMIB-T'sinin, TSMC'nin CoWoS çözümüne kıyasla yaklaşık %50 daha uygun maliyetli olduğunu da ekleyelim. TSMC ise bu alandaki üstünlüğünü korumak için yeni nesil CoPoS panel tabanlı paketlemeye güveniyor.
Bu gelişmeler yaşanırken, Samsung ve TSMC yüksek NNA EUV litografiyi iş akışlarına entegre etme planlarını tamamlarken, Intel bu teknolojide 1 milyonuncu test wafer'ını üreterek sektörde en az 2 ila 4 yıl önde olduğunu kanıtladı. Yüksek NNA EUV'nin, pozlama alanını yarı yarıya azalttığı, tek bir pozlama ile maksimum yonga boyutunu küçülttüğü ve bu sayede çip üreticilerinin tek bir pozlamada çok daha küçük özellikler basmasına olanak tanıdığı biliniyor. Bu durum, 3nm altı teknolojiler için çoklu desenleme ihtiyacını ortadan kaldırıyor.
