IBM, 1 nanometre teknolojisinin de ötesine geçerek 0.7 nanometrelik çip üretim teknolojisini duyurdu. Bu çığır açan gelişmeyle birlikte IBM, yarı iletken inovasyonunda dünyanın önde gelen konumunu pekiştiriyor. Şirketten yapılan açıklamaya göre, bu yeni teknoloji tırnak büyüklüğünde bir alana 100 milyar transistör sığdırılmasına olanak tanıyacak. Bu inanılmaz yoğunluğa ulaşılmasında, IBM'in çip üretiminde nanostack teknolojisi kilit rol oynuyor. Bu teknoloji, geleneksel nanosheet yapılarının ötesine geçerek transistörleri dikey olarak üst üste diziyor.
Nanostack Teknolojisiyle Üretim Sürecinde Büyük İlerleme
IBM'in 0.7 nanometrelik çipleri, 2021'de tanıtılan 2 nanometrelik çiplere kıyasla yaklaşık iki kat daha fazla transistör yoğunluğu sunuyor. O dönemde de nanosheet teknolojisi ilk kez bir üretim sürecinde kullanılmıştı. Bu önceki 2 nanometrelik süreç, o zamanki en gelişmiş 7 nanometrelik teknolojilere göre %45 performans artışı veya %75 daha düşük güç tüketimi vaat ediyordu.
Nanosheet teknolojisi, çip üretim sektöründe yeni bir gelişme olmasa da, IBM’in nanostack yaklaşımı bu alanda önemli bir adım olarak öne çıkıyor. IBM, nanostack teknolojisinin, transistörleri dikey olarak üst üste ve sıralı bir şekilde dizerek 3D entegrasyonu mümkün kıldığını ve böylece bir çipe daha fazla transistör sığdırılabildiğini belirtiyor. Bu yenilikçi tasarım, çip mimarisine yeni bir boyut katıyor.
IBM ayrıca, nanostack mimarisinin CMOS entegrasyonunda ultra ince dielektrik bağlama yoluyla deneysel olarak doğrulandığını açıkladı. Bu bağlama işlemi, transistörlerin hassas bir şekilde hizalanmasını gerektiriyor.
Yapılan açıklamalara göre, 0.7 nanometrelik çipler, 2 nanometrelik çiplere göre %70 daha yüksek güç verimliliği veya %50 performans iyileştirmesi sağlayabiliyor.
IBM, bu yeni teknolojiyle yapay zeka çiplerinin performansının, mevcut 4.500 TOPS seviyesinden 9.000 trilyon işlem/saniye seviyesine çıkarılabileceğini belirtiyor. Bu sayede, üç ay sürebilen yapay zeka eğitim sürelerinin birkaç haftaya indirilebileceği öngörülüyor.
Şirket, nanostack transistörlerini nasıl ürettiğine dair daha fazla detay da paylaştı. IBM'e göre, 3D transistörler oluşturmak ve gelecek nesil bilgisayar çiplerinin geliştirilmesine olanak tanımak için iki wafer'ı birleştirerek yeni, çok katmanlı bir yapı oluşturmak üzere yeni bir teknik geliştirildi.
