Çip endüstrisinde önemli bir adım atmaya hazırlanan teknoloji devi Huawei, yerli imkanlarla yüksek seviye 3 nanometre (nm) GAA çipleri geliştirmeyi planlıyor. Bu hamlenin, şirketi global çapta rekabetçi bir konuma taşıması bekleniyor.
Huawei, İleri Seviye 3nm Çip Teknolojisi İçin Çalışmalarını Hızlandırıyor
Huawei'nin son yıllarda batılı rakipleriyle rekabet edebilmek için ürün portföyünü yenileme ve inovasyon yapma konusundaki başarısı dikkat çekiyor. Şirket, sadece mobil alanda değil, yapay zeka ve bilgi işlem gibi alanlarda da güçlü bir varlığa sahip. Gelen haberlere göre Huawei, yerli kaynaklarla geliştirilen ve önemli bir başarı yakalayan 5nm tabanlı çiplerinin ardından, 3nm GAA teknolojisi için Ar-Ge çalışmalarına başladı.
Rapora göre Huawei, 3nm düğüm boyutu için GAA (Gate-All-Around) yaklaşımını benimseyecek. Bu teknoloji, geleneksel silikon tabanlı transistör kanalları yerine "iki boyutlu" malzemelerin kullanılmasını içerebilir. Bu yaklaşımın, daha küçük ölçekte daha iyi performans ve daha düşük güç tüketimi sağlaması bekleniyor. Ayrıca Huawei'nin, silikon tabanlı transistörlere ve bağlantılara alternatif olarak karbon nanotüpleri içeren "karbon bazlı" bir 3nm tasarımını da geliştirdiği belirtiliyor.
Bu iddialı planların Çin'in en büyük çip dökümhanesi ile işbirliği içinde yürütüleceği düşünülüyor. Huawei'nin bu tür iddialı projeleri daha önce de başlattığı ancak bazılarını tamamlayamadığı biliniyor. Ancak 5nm segmentindeki başarısı ve bu teknolojiyi tüketici ürünlerine entegre etme becerisi göz önüne alındığında, 3nm alanında da önemli ilerlemeler kaydedilmesi şaşırtıcı olmayacaktır.
Huawei, bölgede kilit bir oyuncu haline geliyor ve tedarik zincirini dikey olarak entegre ederek teknolojik üstünlük açısından batılı ülkelerle rekabet edebilir duruma geldi. Özellikle ABD-Çin teknolojik dengesi düşünüldüğünde, önümüzdeki dönemde çip endüstrisinde ilginç gelişmeler yaşanması bekleniyor.
