Çin'in önde gelen DRAM üreticilerinden ChangXin Memory Technologies (CXMT), HBM3E belleklerin deneme üretimine başladığını duyurdu. Bu gelişme, Çin'in DRAM üretimindeki teknolojik ilerlemesi açısından önemli bir kilometre taşı olarak görülüyor. CXMT, küresel bellek devi üreticilerin HBM4'ü seri üretime geçirdiği bir dönemde bu başarıya imza atmış olsa da, HBM3E'ye ulaşmak şirketin hızla geliştiğini gösteriyor.
CXMT'nin HBM3E ürünlerinin teknik detayları henüz tam olarak bilinmiyor. Ancak, deneme üretimi aşamasında olunduğu göz önüne alındığında, gelecekteki seri üretim örneklerinin farklılık gösterebileceği tahmin ediliyor. Genel olarak HBM3E modüllerinin, 1.024-bit genişliğinde bellek arayüzüne sahip olduğu, pin başına 9.6 GT/s'ye kadar veri aktarım hızlarını desteklediği ve 8 veya 12 bellek cihazını istifleyebildiği biliniyor. Bu özellikler sayesinde HBM3E, 1.228 TB/s'ye varan bellek bant genişliği sunabiliyor.
Bellek yığınlarının kapasitesi, kullanılan DRAM yongalarının sayısına bağlı olarak değişiklik gösteriyor. 24 Gb DRAM cihazlarıyla üretildiğinde, sekiz yongalı bir yığınla 24 GB veya on iki yongalı bir yığınla 36 GB kapasite sunulabiliyor.
Habere göre, Alibaba Group'un T-Head'i ve Cambricon Technologies gibi Çinli ileri düzey işlemci geliştiricileri, CXMT'nin HBM3E'sini kendi işlemcileriyle değerlendirmeye başlamış durumda. Test ve onay süreçleri planlandığı gibi ilerlerse, bu şirketler önümüzdeki yılın başlarından itibaren ticari ürünlerinde CXMT'nin HBM3E'sini kullanmaya başlayabilir.
Her bir HBM paketi birden fazla büyük DRAM yongası gerektirdiğinden, HBM üretiminin artması önemli miktarda DRAM üretim kapasitesi talebini beraberinde getirecektir. Bu noktada CXMT'nin genişleyen üretim kapasitesi önem kazanıyor.
CXMT'nin HBM3E üretiminin birden fazla nedeni var. Aslında HBM3E'nin kendisinden çok, CXMT'nin kullanılabilir HBM üretebilme yeteneği daha büyük önem taşıyor.
İlk olarak, HBM, modern yapay zeka hızlandırıcılarının kritik bileşenlerinden biridir. Eğer CXMT'nin HBM3E'si, Cambricon, T-Head ve diğer Çinli tasarımcıların işlemcileriyle uyumlu hale gelirse, Çin yüksek performanslı yapay zeka donanımı oluşturma konusunda Micron, Samsung ve SK hynix gibi firmalara olan bağımlılığını azaltacaktır.
İkinci olarak, HBM4'ün bir nesil gerisinde olmasına rağmen, HBM3E hala oldukça yetenekli bir bellek teknolojisidir ve birkaç TB/s bant genişliği sunarak güçlü yapay zeka hızlandırıcıları için yeterlidir. Nitekim, birçok Çinli yapay zeka hızlandırıcı geliştiricisinin kullanışlı yapay zeka sistemleri oluşturmak için mutlaka HBM4/HBM4E'ye ihtiyacı olmayabilir.
Üçüncü olarak, HBM üretimi, sıradan DRAM üretimine göre önemli ölçüde daha zordur. CXMT'nin sadece rekabetçi DRAM yongaları değil, aynı zamanda yüksek verimliliğe sahip yığma (stacking) teknolojisi, silikon içi delikler (TSV'ler), çok ince bağlantılar, termal yönetim, paketleme ve test gibi karmaşık süreçlerde de yetkin olması gerekiyor. HBM3E deneme üretimine ulaşmak, Çin'in bellek ekosisteminin yalnızca standart DRAM üretmenin ötesine geçtiğini kanıtlıyor.
Son olarak, bu gelişmenin önemli bir jeopolitik boyutu da bulunuyor. İhracat kısıtlamaları, Çin'in gelişmiş yapay zeka işlemcilerine ve HBM'ye erişimini sınırlıyor. Bu nedenle, Çin tasarımı hızlandırıcılar, CXMT HBM3E ve yerli gelişmiş paketleme teknolojilerinin birleşimi, Çin'i yarı iletken bağımsızlığına bir adım daha yaklaştırıyor.
