Günümüzün yapay zeka yoğunluğunu yansıtan bir gelişmeyle birlikte, 1b DRAM yongaların milimetrekare başına maliyeti, üretimi çok daha zor olmasına rağmen TSMC'nin N2 teknolojili eşdeğer yongalarını geride bıraktı. Bu durum, bellek piyasasındaki mevcut durumu ve gelecekteki maliyet beklentilerini yeniden şekillendirecek nitelikte.
Bir milimetrekare 1b DRAM yonganın maliyeti 0.654 dolar iken, TSMC'nin N2 yongası milimetrekare başına 0.42 dolarlık bir maliyete sahip.
Yapılan analizlere göre, 300 milimetrelik bir TSMC N3 (3nm) yongasının fiyatı yaklaşık 20.000 dolar iken, N2 teknolojili aynı boyuttaki yonga yaklaşık 30.000 dolara mal oluyor. Bu da N3 için milimetrekare başına 0.283 dolar, N2 için ise 0.424 dolarlık bir maliyet anlamına geliyor.
Buna karşılık, 1b DRAM'ın milimetrekare başına 0.436 Gb olan bit yoğunluğu ve Gb başına 1.50 dolarlık referans fiyatı göz önüne alındığında, milimetrekare başına yaklaşık 0.654 dolarlık bir maliyete ulaşıyor. Bu, TSMC'nin eşdeğer N2 yongasından yaklaşık yüzde 54 daha pahalı.
Hatta, birkaç nesil öncesine ait olan 1z DRAM'ın bile milimetrekare başına bit yoğunluğu 0.273 Gb ve bu da yaklaşık 0.410 dolarlık bir referans maliyete denk geliyor. Bu da TSMC'nin en yeni teknolojisiyle milimetrekare başına maliyet açısından neredeyse eşit seviyede olduğunu gösteriyor.
Ancak burada kritik bir nokta daha var: DDR5 belleklerin üretimi, TSMC'nin N2 teknolojisine sahip eşdeğer bir silikon yongaya kıyasla çok daha kolay. Buna rağmen, piyasadaki sürekli ve kronik DRAM kıtlığı nedeniyle, 1b DDR5 bellekler şu anda TSMC'nin en yeni yongasına kıyasla yaklaşık %50'lik bir primle fiyatlandırılıyor.
Bu durumun yakın zamanda normale dönmesi beklenmiyor. Özellikle, Samsung'un 10nm altı ilk DRAM üretim süreci olan B1b'nin, bellek hücrelerini ve çevreleyen sürücü devresini (peri olarak bilinen) ayrı yongalarda üreterek hibrit bağlama yöntemiyle birleştirmesi planlanıyor. Hibrit bağlama maliyetli bir yöntem olduğu için, Samsung'un yeni nesil DRAM'leri yüksek fiyatlarla piyasaya süreceği öngörülebilir.
