Samsung Foundry, bu hafta düzenlenen 2026 Next-Generation Lithography + Patterning Conference (NGL 2026) etkinliğinde, üretim teknolojileri yol haritasında önemli güncellemeler paylaştı. Firmanın 2024 yol haritasına kıyasla yaptığı değişiklikler dikkat çekiyor. Özellikle 1.4 nanometre (nm) üretim süreci olan SF1.4'ü piyasaya sürme aceleciliğinden vazgeçen Samsung, önümüzdeki üç yıl boyunca SF2 (2nm sınıfı) üretim süreçlerini daha da geliştirmeye odaklanacak. SF1A (1nm sınıfı) üretim süreciyle birlikte ise ilk kez Yüksek NA EUV litografi araçlarını kullanma planını doğruladı.
Samsung, 2030 civarında 10 angstrom (veya 1nm sınıfı) üretim sürecine geçiş yapmadan önce, SF2 serisi üretim teknolojilerini (SF2P, SF2X, SF2A ve arka yüzey güç dağılımına sahip SF2Z dahil) iyileştirecek ve 2029 yılında SF1.4 sürecini tanıtacak. SF1.4 sürecinin 2027'den 2029'a ertelenmesi, şirketin leading-edge (en gelişmiş) üretim temposunu yavaşlatarak, SF2 ailesinin verimlilik ve üretim hacmi açısından ticari rekabet gücünü artırmaya kaynak ayırdığını gösteriyor. Samsung'un 2033 yılına kadar yapay zeka işlemcileri tedarik etmek üzere Tesla ile uzun vadeli bir anlaşma imzaladığı göz önüne alındığında, önceliğin ana müşteriyi memnun etmek olduğu anlaşılıyor.
SF2 sürecinin uzun ömürlü olmasının bir diğer nedeni ise, şirketin EUV (Extreme Ultraviolet) maskeleri için pellicle teknolojisini benimseme planı. Bu gelişme, Samsung'daki standart rutinleri değiştirecek ve muhtemelen gelecekteki bazı üretim süreçleri için farklı yaklaşımlar gerektirecek.
İlginç bir şekilde, Samsung'un 1nm sınıfı sürecinin, SF1.4'ün geliştirilmiş bir versiyonu olan ve Samsung için alışılmadık bir adlandırma kullanan SF1.4+ ile birlikte var olacağı söyleniyor. Bu yaklaşım, şirketin hem Yüksek NA EUV litografi kullanan 'yenilikçi' 1nm sınıfı bir sürece hem de kanıtlanmış Düşük NA EUV akışlarına ve malzemelerine dayanan bir teknolojiye sahip olacağını gösteriyor.
Samsung, ASML'nin 0.55 sayısal açıklığa sahip projektör optikleriyle Twinscan EXE:5000 EUV litografi tarayıcısını satın almış ve bir yılı aşkın süredir araştırma amaçlı kullanıyor olsa da, 2nm ve 1.4nm üretim teknolojileri için Yüksek NA EUV litografiyi benimseme konusunda aceleci davranmıyor. Şirket, bu tür bir aracı ancak 2030 yılında 1nm sınıfı süreci için kullanmayı planlıyor.
Samsung Electronics Teknoloji Master Başkan Yardımcısı Chang Min Park, konferansta yaptığı açıklamada, "Yüksek NA EUV'yi 2nm ve 1.4nm gibi nodlarda seri üretime uygulamak istedik, ancak teknoloji hala daha fazla iyileştirme gerektiriyor" dedi. "Yüksek NA EUV'nin A10 ve altı nodlar için gerekli olacağına inanıyoruz ve çeşitli ortaklarla ortak geliştirme çalışmaları yürütüyoruz."
Çip üreticileri için ASML'nin Yüksek NA EUV araçlarıyla ilgili temel zorluk, günümüzde kullanılan Düşük NA EUV sistemlerine kıyasla önemli ölçüde daha yüksek maliyetleridir. Bu durum, üretim tesislerinin maliyetlerini artırarak çip maliyetlerini de etkileyebilir. Ayrıca, Yüksek NA EUV tarayıcıları daha küçük bir pozlama alanı sunarak büyük çipler için die stitching (çip birleştirme) gerektirebilir ve tasarımları karmaşıklaştırabilir. Bu durum, çoklu desenleme (multipatterning) ihtiyacını azaltma konusundaki performans avantajlarını büyük ölçüde azaltabilir.
Bunların yanı sıra, Yüksek NA EUV, geliştirilmiş fotorezistleri, farklı maskeleri, pellicleleri, metroloji ve hesaplamalı litografiyi gerektiriyor. Sonuç olarak, çip üreticileri, pahalı tekil desenlemeyi Yüksek NA EUV araçlarında ne zaman kullanmanın mantıklı olacağına ve giderek olgunlaşan 0.33-NA EUV çoklu desenleme ile ne zaman yetinebileceklerine karar vermek zorunda kalacaklar. Örneğin, Intel, Yüksek NA EUV araçlarını 14A teknolojilerinin bazılarıyla kullanmayı planlarken, TSMC Yüksek NA EUV litografisini 2030'lar için bir teknoloji olarak değerlendiriyor.
