Yapay zeka (YZ) alanındaki rekabet her geçen gün kızışırken, Intel'in geliştirdiği yeni bellek teknolojisi Z-Angle Memory (ZAM), yüksek bant genişliği ve kapasite gerektiren YZ uygulamaları için HBM'ye meydan okumaya hazırlanıyor.
Intel ZAM, HBM'ye Güçlü Bir Rakip Olarak Ortaya Çıkıyor
Bellek sektöründe son zamanlarda adından sıkça söz ettiren Z-Angle Memory (ZAM), Intel ve SoftBank iş birliğiyle geliştirilen yenilikçi bir teknoloji. Düşük güç tüketimi ve yüksek yoğunluklu bir HBM alternatifi sunmayı hedefleyen ZAM'ın ilk detayları, teknoloji dünyasında heyecan yarattı.
Yeni bilgilere göre, ZAM bellek teknolojisi, HBM4'ten iki kat daha fazla bant genişliği sunmayı planlıyor. Hatta önümüzdeki yıl piyasaya sürülmesi beklenen HBM4E standardıyla bile rekabet edebilecek seviyede. ZAM'ın kendisi ise 2028-2030 yılları arasında üretim seviyesine ulaşmayı hedefliyor, bu da teknolojinin yaygınlaşmasının biraz zaman alacağı anlamına geliyor.
Yakın zamanda düzenlenen bir etkinlikte, Intel ve SoftBank iştiraki SAIMEMORY, ZAM belleğin yeni detaylarını ve bazı özelliklerini tanıttı. Bu yeni detaylar, teknolojinin potansiyelini daha net ortaya koyuyor.
Tasarım açısından bakıldığında, ZAM'ın 9 katmanlı bir yığın tasarımla gösterildiğini görüyoruz. Tek bir yığın, her katman arasında 3 mikron kalınlığında silikon alt tabaka bulunan sekiz DRAM yığınından oluşuyor. Ana alt tabaka ise dokuz DRAM yığınını da destekleyen tek bir Lojik denetleyiciye sahip.
Üç ana TSV katmanında, her biri 13.7 bin Through-Silicon-Via bağlantı yoluna sahip ve hibrit bağlama teknolojisi kullanılıyor. Her katman 1.125 GB kapasite sunarken, bu da her yığın için 10 GB veya tüm paket için 30 GB'lık bir kapasite anlamına geliyor. ZAM yığınının boyutu 171mm² (15.4 x 11.1mm) ve bellek, mm² başına 0.25 Tb/s bant genişliği ile yığın başına 5.3 TB/s bant genişliği sunuyor.
HBM belleklerin şu anda yüksek performanslı yapay zeka hızlandırıcıları ve GPU'lar için tercih edildiği biliniyor. Ancak HBM teknolojisi ölçeklendikçe, daha fazla ısı ve daha yüksek güç tüketimi gibi yapısal sorunlar da ortaya çıkabiliyor. ZAM ise yüksek yoğunluk, geniş bant genişliği ve düşük güç tüketimi gibi üç temel alanda bu sorunlara çözüm sunmayı amaçlıyor. ZAM'ın dikey yapısal özellikleri, kablolama katmanından geçmek zorunda kalmadan daha iyi ısı dağılımı sağlıyor.
ZAM'ın Temel Avantajları:
- Daha Yüksek Bant Genişliği Yoğunluğu: HBM'ye kıyasla yaklaşık 0.25 Tb/s/mm² seviyesinde.
- Daha Düşük Güç Tüketimi: Düşük veri transfer gücü için optimize edilmiş.
- Üstün Isı Dağılımı: Dikey mimari, daha iyi termal yönetim sağlıyor (HBM, kablolama katmanları nedeniyle ısı birikmesinden etkilenir).
- Ultra Yüksek Katmanlama: Her yığında son derece ince 3µm Si ve via-in-one TSV ile 9+ katmanı destekliyor.
- Yenilikçi Teknoloji: Manyetik alan kuplajlı kablosuz G/Ç ve ölçeklenebilirlik için gelişmiş bağlama.
- YZ Odaklı: Üretken YZ iş yükleri için HBM'nin yapısal sınırlamalarını ele alıyor.
ZAM'ın nihai hedefi, dikey ve yatay katmanları, yüksek bant genişlikli, büyük bellek yığınını, Güç/Toprak hatlarını, Silikon Fotonik ve Legacy G/Ç'yi tek bir alt tabakada barındıran 3.5D paketleme teknolojisi aracılığıyla yoğun bir 3D bellek tasarımı elde etmek. ZAM şimdiden oldukça umut vaat eden bir teknoloji olarak görülüyor. Yapay zeka pazarının hızla geliştiği bu dönemde, ZAM'ın gerçek uygulamalarda HBM'ye karşı gerçek bir rakip olarak kabul edilmesi için ilk canlı demoları sabırsızlıkla bekleniyor.
