Intel'in üretim geliştirme ve müşteri ilişkileri alanından sorumlu başkan yardımcısı Chris Auth, şirketinin Yüksek NA EUV litografi makinelerini kullanma konusunda TSMC'den daha uygun bir konumda olduğuna inanıyor. Auth, bu görüşlerini bir podcast yayınında dile getirerek, Intel'in ürünlerinde arka yüzey güç dağıtımına güvendiği için Yüksek NA EUV ile devreleri doğrudan basabildiğini açıkladı.
Yayınlanan podcast'te ayrıca şirketin teknoloji şefi (CTO) Pushkar Ranade de yer aldı. Ranade, TSMC ile arasındaki farkın teknolojiyle değil, üretim ölçeğiyle ilgili olduğunu belirtti.
Intel Başkan Yardımcısı: Arka Yüzey Güç Dağıtımı, Yüksek NA EUV Makinelerini Kullanmamızı Sağlıyor
Yüksek NA EUV litografi makineleri, ışık çözünürlüğünü bir wafer üzerinde artırarak 16 ila 8 nanometre aralığında bir hatve (pitch) elde edilmesini sağlıyor. Bu da çip üreticilerinin tek geçişte üretim yaparak maliyet tasarrufu yapmasına olanak tanıyor. Litografide hatve, iki özellik arasındaki boşluğu ifade eder. TSMC gibi üreticiler, tek bir geçişte daha dar hatvelere uyulması gerekeceği için genellikle özellikleri aşamalı olarak basar.
Dwarkesh podcast'inde konuşan Intel'den Chris Auth, hatve gereksinimleri TSMC'nin gereksinimlerinden daha esnek olduğu için Yüksek NA teknolojisine güvenebileceklerini belirtti. Bu durum, daha gevşek hatvelerin devre basımında hassasiyet ihtiyacını azaltmasıyla daha rahat bir hata toleransı sağlıyor.
Auth'a göre:
Auth, 14A sürecinin "PDK'da bugün bir seçenek olduğunu ve bunu müşteri bazlı olarak değerlendirdiğimizi" ekledi.
Arka yüzey güç dağıtımı sayesinde Intel, bir çip üzerindeki güç dağıtım devresini silikon wafer'ın arka yüzeyine aktarıyor. Bu, hesaplama transistörlerinin ve aralarındaki veriyi ileten devrelerin bulunduğu wafer'ın 'ön' yüzeyinde devreler için yer açıyor. Auth'un yorumları, şirketin artık bu teknolojiyle 14A sürecine odaklandığını doğrarken, daha önceki bazı raporlar bu teknolojinin 18A düğümünde kullanılacağını tartışmıştı.
TSMC konusuna dönecek olursak, Intel CTO'su Pushkar Ranade, şirketin küresel sözleşmeli çip üretim endüstrisinde Tayvanlı rakibiyle rekabet etme çabalarını da değerlendirdi. Ranade, TSMC'nin "bugün bizden çok daha büyük bir wafer üreticisi olduğunu" kabul ederek, "ölçekte yakalamak yavaş bir süreç olacak. Ve kademeli bir süreç." diye ekledi.
Ancak, teknoloji alanında yetişme konusunda Intel'in "zaten orada" olduğunu da sözlerine ekledi. Intel'in "performans, güç veya alan yoğunluğu açısından belki yüzde birkaç geride olabileceğini", ancak bir firmanın "tam bir nesil" geride olduğu durumlarda yapılan kıyaslamaların anlamlı olduğunu belirtti.
Ranade, Intel ile TSMC arasındaki temel farkın yürütme (execution) olduğunu vurgulayarak şunları söyledi:
Intel, 14A üretim süreci teknolojisi hakkında defalarca iyimserlik dile getirmiş olsa da, tedarik zinciri raporları TSMC'nin de üretim zaman çizelgesini hızlandırdığını göstererek Ranade'nin iddiasına ağırlık kazandırıyor.
Yarı iletken endüstrisindeki önemli bir son gelişme, n-tipi ve p-tipi transistörlerin yığılması (stacking) oldu. Bu iki transistör, modern üretim teknolojisinin temelini oluşturuyor ve IBM kısa süre önce 0.7 nanometrelik süreç düğümüne yönelik planlarının bir parçası olarak bu yığılma yaklaşımını duyurdu.
Intel'in bileşen araştırması başkan yardımcısı ve şirketin Fellow'u Jack Kavalieros, bu yaklaşımdaki sorunları ele aldı. Ona göre:
Dolgu işleminin hava boşlukları ve delikler bırakabileceğini ekledi.
