Eski Intel CEO'su Patrick Gelsinger, hafıza çipi tasarımcısı Nagare Labs ve geliştirdiği Z2RAM teknolojisine desteğini açıkladı. Gelsinger, firmanın SRAM, DRAM ve flash belleğin en iyi özelliklerini birleştirerek yoğunluk, hız ve güç tüketimi açısından HBM hafızaya rakip olabilecek bir teknoloji yarattığını belirtti. Z2RAM'in öne çıkan özelliklerinden biri de doğrudan mantık çipine entegre edilebilmesi, bu da verinin kat etmesi gereken mesafeyi önemli ölçüde azaltıyor.
Eski Intel CEO'su: Z2RAM Yoğunluk, Hız ve Güç Konusunda Üstünlük Sağlıyor
Gelsinger'in bahsettiği üç ana hafıza türü, bir bilişim sisteminde farklı görevler üstleniyor. Modern yapay zeka çipleri için yüksek bant genişliğine sahip hafızanın (HBM) temelini oluşturan DRAM, bir bilgisayarın işlemcisi veya grafik işlemcisi için ana hafıza olarak kullanılıyor. Verinin işlemciye aktarılmadan hemen önceki anında depolandığı yer burasıdır.
DRAM'den sonra veri, grafik işlemci veya işlemci yongasına çok yakın konumlandırılan ve işlemciye ulaşmadan önce verinin yüklendiği önbellek hafızası olarak işlev gören SRAM'e ulaşır. Son olarak, NAND yongaları ise DRAM'e yüklenmeden önceki veriyi barındıran depolama cihazlarıdır.
Üretim açısından bakıldığında, DRAM ve NAND'ın ölçeklenmesinde ilerleme kaydedilirken, SRAM'in ölçeklenmesi çeşitli faktörler nedeniyle darboğazlarla karşılaştı. Önemli bir faktör, altı transistörden oluşan SRAM hücre tasarımıdır. Bu transistörlerin küçültülmesi, sızıntı akımı ve malzeme safsızlıkları gibi sorunlara yol açıyor.
Öte yandan, NAND'ın ölçeklenmesi, yatay çip alanını korumak ve performansı artırmak için yonga başına 300'den fazla katman sayesinde iyi bir ilerleme kaydetti. Bu noktada Nagare Labs'ın Z2RAM'i, her iki dünyanın en iyisini hedefliyor. Yüksek hızlı, düşük gecikmeli SRAM avantajlarını elde etmek amacıyla doğrudan mantık yongasına entegre edilecek şekilde tasarlanmış durumda. Benzer şekilde, hafıza dikey olarak istiflenerek yatay yüzey alanından tasarruf sağlıyor ve yapay zeka çip alanını etkileyen SRAM ölçeklenme darboğazına bir alternatif sunuyor.
Z2RAM, Ölçeklenme Kısıtlamaları Olmadan SRAM'in Çip Üzeri Avantajlarını Tekrarlamayı Hedefliyor
Bu avantajlar, eski Intel CEO'su Patrick Gelsinger'in dikkatini çekmiş görünüyor. Gelsinger, Nagare'nin "DRAM, SRAM ve flash belleğin en iyi özelliklerini, hem DRAM gibi yoğun, hem SRAM gibi hızlı, hem de flash gibi ölçeklenebilir yeni bir cihazda birleştirdiğini" ifade etti.
Z2RAM, 1 Transistör-1 Kapasitör (1T1C) hafıza tasarımında geleneksel olarak kullanılan kapasitörü ortadan kaldırıyor ve bunun yerine iki transistör kullanıyor. Nagare'nin kurucu ortağı ve Georgia Teknoloji Enstitüsü'nde profesör ve araştırmacı olan Suman Datta'ya göre, "şarjı depolamak için ikinci transistörün geçit kapasitansını" kullanıyor.
Gelsinger'in ilişkili olduğu yatırım firması Playground Global, Nagare'ye yatırım yapıyor. Gelsinger, teknolojinin HBM ile karşılaştırılacak kadar iyi olduğunu düşünüyor. "HBM'nin pek çok sınırlılığı olsa da (güç, yoğunluk, bant genişliği), yoğunluk ve performans kombinasyonu şu anda mevcut olan en iyisi. Z2RAM'in getirdiği değer tam olarak bu; daha iyi yoğunluk, hız ve güç sağlıyor" dedi.
Kaynakça: wccftech.com
