Teknoloji dünyasında son haftalarda Çin merkezli CXMT'nin, bellek sektörünün devleri Samsung, SK hynix ve Micron'a meydan okuyan yükselişi konuşuluyor. Bu rekabette çıtayı bir kez daha yükselten CXMT, yeni nesil 4F² bellek hücresi mimarisini benimseyerek Samsung'u yaklaşık 2 yıl geride bırakmaya hazırlanıyor.
CXMT Sunucular İçin Yeni Bellek Ürününü 2026 Sonunda Tanıtacak, Samsung İse 2028 Hedefliyor
CXMT Başkanı Dr. Cao Kanyu, Şanghay'da düzenlenen 4. Entegre Çip ve Chiplet Konferansı'nda yaptığı sunumda, şirketin yeni nesil 4F² DRAM mimarisi ve hibrit bağlama gibi yenilikçi teknolojilerdeki ilerlemesini paylaştı. Dr. Kanyu, CXMT'nin 2026'nın sonuna kadar 4F² bellek hücresi mimarisine dayalı bir DDR5 RDIMM ürünü piyasaya süreceğini duyurdu. Bu gelişme, Samsung'un aynı mimariyi kullanma planlarından yaklaşık iki yıl önce gerçekleşecek.
RDIMM (Registered Dual In-Line Memory Module), sunucularda işlemciden gelen sinyalleri bir saat döngüsü boyunca tamponlayarak bellek çiplerine ileten bir donanımdır. Bu tamponlama sayesinde elektrik yükü azalır ve sunucu operatörleri tek bir anakarta daha fazla kapasiteli RAM modülü takabilir.
4F² süreci ise bir sonraki nesil bellek hücresi mimarisidir. Bu mimaride, tek bir bellek hücresinin bileşenleri (bir transistör ve bir kapasitör) yatay yerine dikey olarak istiflenir. Bu tasarım değişikliği, tek bir bellek hücresinin kapladığı alanı, minimum özellik boyutunun karesinin 4 katı (4 × F²) olan mükemmel bir kareye indirir. Bu da bellek çiplerinin yoğunluğunu %30-50 oranında artırır.
CXMT, bu teknolojiyi uzun süredir araştırıyor ve ilk araştırmasını 2021'de yayınlamıştı. 6F² mimarisinden 4F² mimarisine geçiş, aynı özellik boyutunda bellek hücresi alanını yaklaşık %33 oranında azaltacaktır. Şirketin ilk uygulaması, muhtemelen 15nm G5 DRAM süreci üzerinde 4F² mimarisinin kısmi bir türevi olacaktır.
Ayrıca, işlem teknolojisindeki küçülme sınırlamalarını aşmak için CXMT, Yüksek-k Metal Kapı (HKMG) teknolojisini kullanıyor. Bu teknoloji, eski silikon bazlı yalıtkanı hafsiyum oksit gibi malzemelerle değiştirerek akım kaçağını ve enerji israfını azaltır, güç verimliliğini artırır ve daha yüksek hızlara olanak tanır. CXMT bu teknolojiyi mevcut G4 DRAM üretim süreci ve LPDDR5X ürünlerinde de kullanıyor.
CXMT, üretim kapasitesini hızla artırıyor. Yıl sonuna kadar üç adet 300mm DRAM fabrikası ile aylık 300.000 yonga üretim kapasitesine ulaşmayı hedefliyor. 2026 sonuna kadar ise HBM odaklı aylık 50.000 yonga kapasitesi planlanıyor. Şanghay ve Hefei'de inşa edilen iki yeni fabrika ile üretim kapasitesinin aylık 600.000 yongaya çıkması bekleniyor. Bu büyüme ile CXMT'nin 2030 yılına kadar Micron'u hacimli üretimde geride bırakması öngörülüyor.
Diğer yandan, Samsung'un 4F² mimarisini, bellek hücrelerinin ve çevresindeki sürücü devresinin ayrı yongalarda üretilip hibrit bağlama ile birleştirildiği B1b (resmi adıyla D0a) süreciyle tanıtması bekleniyor. Hibrit bağlamanın maliyetli olması, bu yeni nesil DRAM'ların da yüksek fiyatlarla piyasaya sürüleceği anlamına geliyor.
