Teknoloji dünyasının merakla beklediği yeni nesil bellek teknolojileri arasında yer alan HBM4 ve GDDR6, artık sadece teoriden ibaret değil. Yapay zeka hızlandırıcıları için geliştirilen SK Hynix'in 16 katmanlı HBM4 bellek modülü, 48 GB kapasitesi ve saniyede 10 gigabit veri aktarım hızıyla dikkat çekiyor.
Bu heyecan verici gelişme, teknoloji fuarında sergilendi. HBM4, SK Hynix'in özel MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) paketleme teknolojisi sayesinde elde edilen yoğunluğu ve 2048-bitlik arayüzüyle öne çıkıyor. Bu yeni nesil bellek, standart JEDEC özelliklerinin yüzde 25 daha üzerine çıkarak saniyede 10 GT/s hıza ulaşıyor. Bu, özellikle büyük veri işleme ve yapay zeka uygulamaları için önemli bir performans artışı anlamına geliyor.
HBM3/HBM3E ve HBM4 bellekler aynı fiziksel boyuta sahip olsa da, HBM4 daha yüksek katman sayısı ve daha yoğun I/O (Giriş/Çıkış) ile güçlendirilmiş bir yapı sunuyor. SK Hynix'in gelişmiş MR-MUF teknolojisi, birden fazla bellek çipinin tek bir adımda monte edilip paketlenmesini sağlayarak üretim sürecini optimize ediyor.
HBM4'ün arka yüzeyine bakıldığında, önceki nesillere göre belirgin bir fark görülüyor. Daha yoğun ve homojen bir BGA pin alanı, yüksek veri hızlarını desteklemek ve sinyal bütünlüğünü korumak için gereken daha fazla sinyal pini ve ek güç ile toprak pinlerini gösteriyor. Bu durum, HBM4'ün daha yüksek bant genişliği ve daha gelişmiş güç yönetimi gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlandığını ortaya koyuyor.
Bu yeni nesil bellek modülleri, kanıtlanmış 1b-nm (10 nanometre sınıfı 5. nesil) üretim süreciyle üretilen özel DRAM çipleri kullanıyor. Bu, düşük hata oranına, daha az değişkenliğe ve yüksek verimliliğe sahip belleklerin daha uygun maliyetlerle üretilmesini sağlıyor.
