Yapay zeka (YZ) teknolojisindeki hızlı yükseliş, bu alanda kullanılan çiplerin gelişimini de tetikliyor. Özellikle YZ işlemcilerinin devasa veri işleme ihtiyaçları için yüksek bant genişlikli belleklere (HBM - High-Bandwidth Memory) büyük talep var. Ancak mevcut HBM çipler pahalı, üretimi karmaşık ve en önemlisi çok fazla enerji tüketiyor.
Bu soruna çözüm bulmak amacıyla iki teknoloji devi, Amerikan çip üreticisi Intel ve Japon yatırım ve teknoloji grubu SoftBank önemli bir iş birliğine imza attı. İki şirket, HBM'ye alternatif olabilecek, ancak çok daha enerji verimli yığılmış (stacked) DRAM bellekler geliştirmek için Saimemory adında yeni bir şirket kurdu.
Saimemory, Intel'in teknolojisini ve Tokyo Üniversitesi gibi Japon akademik kurumlarından patentleri kullanarak bir prototip geliştirmeyi hedefliyor. Ortaklığın temel amacı, DRAM çiplerini üst üste yığarak ve daha verimli bir bağlantı sistemi kullanarak HBM çiplerine kıyasla güç tüketimini yarıya indirmek. Bu, özellikle veri merkezleri için büyük önem taşıyor, zira YZ yüklerinin enerji ihtiyacı her geçen gün artıyor.
Şirketin yol haritasına göre, 2027 yılına kadar prototipin tamamlanması ve seri üretime uygunluk değerlendirmesinin yapılması planlanıyor. Ticari kullanıma başlama hedefi ise on yılın sonundan öncesi olarak belirlenmiş durumda.
Başarılı olması halinde SoftBank, bu yeni nesil belleklerin tedariğinde öncelik hakkı talep ediyor. Halihazırda piyasadaki en güncel HBM çiplerini sadece üç büyük üretici (Samsung, SK Hynix, Micron) sağlıyor. YZ'ye olan doymak bilmez talep nedeniyle HBM tedariği zorlu olabiliyor. Saimemory bu alanda yeni bir pazar yaratmayı amaçlıyor.
Üst üste yığılmış DRAM teknolojisi üzerine daha önce de çalışmalar yapıldı. Bazı şirketler kapasiteyi artırmaya odaklanarak 512 GB'a kadar bellek modülleri geliştirmeyi hedeflerken, Saimemory'nin ana odağı güç tüketimini azaltmak. Bu farklılaşma, özellikle enerji maliyetlerinin önemli olduğu veri merkezi pazarı için kritik bir avantaj sağlayabilir.
