Teknoloji dünyasının yakından takip ettiği bir gelişmeyle, Teknoscope ekibi olarak yeni bir analiz laboratuvarının ilk bulgularını sizlere aktarıyoruz. Yapılan detaylı incelemeler, Çin'in yarı iletken üreticisi SMIC'in 7nm sürecinde elde ettiği metal pitch (yerel metal aralığı) değerinin 32.5nm olduğunu ortaya koyuyor. Bu değer, Intel'in 18A sürecinde kullanılan 36nm'lik değerden daha iyi bir sonuç anlamına geliyor. Ancak, genel transistör yoğunluğu açısından SMIC'in N+3 süreci, Intel'in 18A süreciyle karşılaştırıldığında %38 oranında geride kalıyor.
Bu dikkat çekici analiz, yaptırımlara rağmen gelişen Huawei'nin HiSilicon Kirin 9030 işlemcisi üzerinde gerçekleştirildi. Bu işlemci, Huawei'nin Mate 80 serisi telefonlarında kullanılıyor. Analiz, SMIC'in 7nm N+3 sürecinin, Intel'in yüksek yoğunluklu kütüphanesine kıyasla yoğunlukta önemli bir fark olduğunu gösteriyor.
Intel'in 18A süreci, 32nm'lik minimum metal pitch'i desteklerken, Panther Lake çipleri 36nm'lik bir pitch ile geliyor. Bunun nedeni, Intel'in güç iletimini yonganın arkasından (PowerVia teknolojisi ile) yapması ve ön tarafı sinyal iletimi için daha fazla metal hattıyla doldurabilmesi. Bu strateji, Intel'e daha yüksek yoğunluk ve daha gevşek ön-yüz metal hatları avantajı sağlıyor.
SMIC ise, ABV (Aşırı Ultraviyole) litografi kullanmadan, DUV araçları ve dörtlü desenleme (quadruple-patterning) gibi yöntemlerle 32.5nm metal pitch'ine ulaşmayı başardı. Bu da ek maskeleme ve aşındırma adımları gerektiren daha karmaşık bir üretim süreci anlamına geliyor.
Transistör yoğunluğu açısından bakıldığında, SMIC'in N+3 süreci milimetrekare başına 113.4 milyon transistör ile TSMC'nin olgun N6 süreci olan 107.7 milyonu geride bırakıyor. Ancak, Intel'in 18A süreci bu alanda oldukça ileride yer alıyor.
SMIC'in bu başarıyı elde etmek için kullandığı yöntemler arasında transistör başına iki fin kullanılması, kontakların doğrudan aktif kapı üzerine yerleştirilmesi ve hücreler arasına tek difüzyon boşlukları eklenmesi gibi yoğunluk artırıcı teknikler bulunuyor. Bu optimizasyonlar karmaşıklığı ve maliyeti artırıyor.
Kirin 9030 işlemcisinin performansına bakıldığında, ana çekirdeği 2.75 GHz'de çalışıyor ve saat döngüsü başına Arm'ın 2021 dönemi Cortex-X2 çekirdeklerine yakın bir performans sergiliyor. Bu da onu yaklaşık üç yıl önceki Android amiral gemisi telefonlarıyla aynı seviyeye getiriyor ve güncel Apple, Qualcomm, MediaTek ve Samsung modellerinin gerisinde bırakıyor. Huawei'nin 2031 yılına kadar 5 GHz hedefini belirttiği ancak bu hedefe ulaşmanın yalnızca düzlemsel ölçeklendirme ile zor olacağı öngörülüyor.
Yeni analiz laboratuvarını kurma çalışmaları 18 ay süren bu ekip, şimdiden veri merkezi silikon analizleri üzerinden gelir elde etmeye başladığını belirtiyor. Bu çalışmalar arasında büyük bir TSMC müşterisinin COUPE CPO optik motoru + EIC 3D yığınlarının tersine mühendisliği de bulunuyor.
Şirket, özellikle gelişmiş simülasyon ve analiz alanında rakip olarak görülen TechInsights'ı hedef alıyor. SMIC'in N+3 süreciyle üretilen Kirin 9030 Pro'nun Samsung LPDDR5X bellekle geldiği de analizin diğer önemli bulgularından biri. Bazı varyantlarda ise Çinli CXMT üretimi DRAM'ler kullanıldığı tespit edildi.
