Teknoloji dünyasında depolama kapasitesi ve hızı konusunda önemli bir gelişme yaşanıyor. SK hynix, geliştirdiği 321 katmanlı, 2 Terabit (Tb) kapasiteli QLC NAND Flash ürününün seri üretimine başladığını duyurdu. Bu teknoloji, daha önce 300 katmanı aşan ilk QLC uygulaması olmasıyla NAND yoğunluğunda yeni bir standart belirliyor.
Şirket, ürünün küresel müşteri doğrulama süreçlerini tamamlamasının ardından önümüzdeki yılın ilk yarısında piyasaya sürmeyi hedefliyor. Maliyet etkinliğini artırmak amacıyla SK hynix, mevcut çözümlerin iki katı kapasiteye sahip 2Tb’lık bir cihaz geliştirdi. Yüksek kapasiteli NAND'larda performans düşüşü yaşanma ihtimaline karşı, çip içindeki bağımsız işlem birimleri olan plane sayısını 4'ten 6'ya çıkardı. Bu sayede daha fazla paralel işlem yapılması ve aynı anda okuma performansı önemli ölçüde artırılması hedefleniyor.
Sonuç olarak, 321 katmanlı QLC NAND, önceki QLC ürünlerine kıyasla hem daha yüksek kapasite hem de daha iyi performans sunuyor. Veri aktarım hızı iki katına çıktı, yazma performansı yüzde 56’ya kadar iyileştirildi ve okuma performansı yüzde 18 arttı. Ayrıca, yazma güç verimliliğinde yüzde 23’ün üzerinde bir artış sağlandı. Bu da özellikle düşük güç tüketiminin kritik olduğu yapay zeka veri merkezleri için rekabet avantajı sağlıyor.
SK hynix, 321 katmanlı NAND teknolojisini ilk olarak bilgisayar SSD'lerinde kullanmayı planlıyor. Ardından bu teknolojiyi veri merkezleri için kurumsal SSD'ler (eSSD) ve akıllı telefonlar için UFS ürünlerine de taşıyacak. Kendi geliştirdiği ve tek bir pakette 32 NAND yongasının aynı anda istiflenmesine olanak tanıyan 32DP teknolojisini kullanarak, entegrasyon yoğunluğunu iki katına çıkarmayı amaçlayan SK hynix, böylece yapay zeka sunucuları için ultra yüksek kapasiteli eSSD pazarına girmeyi hedefliyor.
