Samsung'un Exynos işlemcileri geçtiğimiz dönemlerde ısınma sorunlarıyla anılırken, Exynos 2600'deki Isı Geçiş Bloğu (HPB) teknolojisi bu durumu değiştirebilecek gibi görünüyor. Bu yenilikçi teknoloji, diğer çip üreticilerinin de dikkatini çekmiş durumda.
Samsung'un Exynos 2600 için geliştirdiği Isı Geçiş Bloğu (HPB) dikkat çekiyor
Samsung Foundry, Exynos 2600 işlemcisinde farklı bir yol izlemiş. Önceki Exynos nesillerinde DRAM, doğrudan çipin üzerine yerleştirilirken, bu kez bakır bazlı bir HPB ısı emici çipin üzerine konumlandırılmış ve DRAM yan tarafa alınmış. Isı emicinin işlemciyle doğrudan temas halinde olması, işlemcinin termal emisyonlarının bakır yapı tarafından verimli bir şekilde dağıtılmasını sağlıyor. Bu sayede, önceki nesil Samsung çiplerine göre ortalama yüzde 30 daha serin çalışan bir çip elde ediliyor.
Güney Kore'den gelen haberlere göre, Samsung bu HPB paketleme teknolojisini Qualcomm ve Apple gibi diğer müşterilerine de sunmayı planlıyor. Apple'ın 2016'da A10 çipiyle TSMC'ye geçiş yaptığını ve Qualcomm'un da 2022'de Snapdragon 8 Gen 1+ ile Tayvanlı çip üreticisine yöneldiğini belirtmekte fayda var.
Öte yandan, Qualcomm'un en yeni Snapdragon 8 Elite Gen 5'in de kendi termal sorunlarıyla boğuştuğu biliniyor. En son yapılan testlerde, bu işlemcinin 19.5W'lık bir kart gücü tüketimi gösterdiği, aynı kıyaslama testinde A19 Pro'nun ise 12.1W güç tükettiği görülüyor.
Buradaki temel nedenlerden biri, Snapdragon 8 Elite Gen 5'in altı performans çekirdeğinin yüksek saat frekansları. Samsung'un Exynos 2600 çipinin nihai CPU çekirdek yapılandırması henüz netleşmemiş olsa da, güvenilir bir kaynaktan sızan dahili bir kıyaslama testi, Exynos 2600'deki ana çekirdeğin, Snapdragon 8 Elite Gen 5'teki performans çekirdeklerinden yalnızca yüzde 4.6 daha yüksek bir frekansta çalıştığını gösteriyor.
Bu durum göz önüne alındığında, Samsung'un Exynos 2600 için geliştirdiği HPB paketleme teknolojisi, Qualcomm'un gelecekteki işlemcileri için mantıklı bir çözüm olarak öne çıkıyor.
