Yalnızca ikinci ve üçüncü nesil 2nm GAA (Gate-All-Around) süreçlerini geliştirmekle kalmayan Samsung, teknoloji dünyasının 'rüya yarı iletken'i olarak adlandırdığı en gelişmiş litografi süreci olan 1nm'yi sunmak için çalışmalarını sürdürüyor. Bu iddialı teknolojiye ulaşmanın birkaç yıl sürmesi bekleniyor.
Şirketin Ar-Ge takviminin 2030 yılına kadar tamamlanması ve üretim sürecinin 2031 yılında tanıtılması hedefleniyor. 2nm'den 1nm'ye küçülme, doğal olarak neredeyse imkansız bir başarı olacak. Ancak Samsung'un, aynı çip alanına daha fazla transistör sığdırmayı sağlayan 'fork sheet' (çatal levha) adı verilen bir yönteme güveneceği belirtiliyor.
Samsung'un 1nm Süreci İçin Fork Sheet Tekniği, Transistor Sayısını Artırmaya Yardımcı Oluyor
Tüm 2nm süreçlerinin, akım yolunu üç şeritten dörde çıkararak güç verimliliğini en üst düzeye çıkaran GAA teknolojisini kullanmasının aksine, aynı tekniği 1nm düğümüne entegre etmek o kadar da etkili olmayabilir. Kore Ekonomi Gazetesi'nin haberine göre, Samsung, GAA cihazları arasına iletken olmayan bir duvar ekleyerek, çatalın bir alana saplanmasına benzer bir etki yaratarak, 'fork sheet' adını alan bu yöntemle 2nm altı teknolojisinin seri üretimine ulaşmayı hedefliyor.
Tıpkı bitişik yapılara çim alanların eşlik ettiği ve bu çim alanların kaldırılıp daha fazla yapı eklenerek aynı çip alanında daha fazla transistör oluşturulduğu konut mimarisine benzer şekilde, Samsung'un yaklaşımı da budur. Geçtiğimiz yıl, şirketin açıklanmayan nedenlerle 1.4nm üretim sürecini iptal ettiği söylentileri çıkmıştı. Ancak daha sonra, şirketin bu süreci 2028'e ertelediği ve dikkatini 2nm GAA teknolojisine yönlendirmek isteyebileceği bildirildi.
Aynı zamanda, o dönemde 'fork sheet' teknolojisini benimsemeyi araştırmadığı için Samsung'un üretim zorluklarıyla karşılaşmaya devam etmesi de muhtemeldir. Ek araştırmaların yardımıyla şirket bu sorunu aşmış olabilir, ancak 1nm sürecinin başarıyla uygulanıp uygulanamayacağı zamanla belli olacak. Geekbench 6 gibi kıyaslamaları çalıştırırken SoC'nin 30W tüketmesine neden olan güç dalgalanması sorunlarından muzdarip olan Exynos 2600'e bakıldığında, Samsung'un 2nm GAA sürecinin verimlilik yönünü henüz ele almadığı görülüyor.
Bu olumsuz özellik aynı zamanda pil ömrünün azalmasına da neden oluyor, bu yüzden standart Galaxy S26'nın Snapdragon 8 Elite Gen 5 versiyonu, Exynos 2600 varyantından yüzde 28 daha uzun pil ömrü sunuyor. Kısacası, Samsung'un, ikinci nesil 2nm GAA süreci olarak da bilinen SF2P ile başlayarak ele alması gereken bazı zayıf yönleri bulunuyor.
