Teknoloji devi Samsung, çip üretimindeki gücünü artırmak amacıyla Amerika Birleşik Devletleri'ndeki Taylor fabrikasında 2 nanometre üretim kapasitesini aylık 6.000 yonga seviyesine çıkarmayı planlıyor. Bu adım, 2027'nin ikinci yarısına kadar tesisin toplam üretimini 20.000 yongaya yaklaştırma hedefinin bir parçası olarak görülüyor.
Samsung'un Taylor'daki üretim tesisi, firmanın ABD'deki çip üretimi atılımlarının önemli bir parçasını oluşturuyor. Tesisin ilk bölümü olan Taylor 1'in bu yılın sonuna kadar faaliyete geçmesi bekleniyor. Bu fabrika, gelişmiş aşırı ultraviyole (EUV) çip üretim makinelerini kullanarak 2 nanometrelik çipler üretecek.
2 nanometre çip teknolojisi, günümüz sektörünün en ileri seviyesini temsil ediyor. Samsung, TSMC ve Intel gibi devler bu teknolojiyi kullanıyor ve pazar payı açısından TSMC bu alanda lider konumda bulunuyor. Samsung ve TSMC'nin 2 nanometrelik ürünleri, farklı transistör tasarımlarından yararlanıyor. Her iki firma da gate-all-around field-effect transistörleri (GAAFETs) teknolojisini kullanırken, Samsung kendi teknolojisini Multi-Bridge Channel FET (MBCFET) olarak adlandırıyor. Bu teknoloji, nanosheet adı verilen yapılar kullanarak güç akışını kontrol eden gate'in etrafını sarıyor.
Güvenilir kaynaklardan gelen bilgilere göre, Samsung, Taylor tesisindeki 2 nanometre üretim kapasitesini artırmak için ek ekipman siparişi verdi. Bu sipariş, tesisin aylık 6.000 yonga üretmesini sağlayacak.
Tesisin bu yılın sonunda faaliyete geçmesi ve 2027'nin ikinci yarısına kadar aylık 20.000 yonga üretim kapasitesine ulaşması öngörülüyor. Mevcut sipariş, Samsung'un daha önce aylık 10.000 yonga üretme hedefiyle yaptığı tedariklerin üzerine ekleniyor. Yeni yatırımla birlikte, Samsung'un pilot üretim kapasitesi de hesaba katıldığında, Taylor tesisinin maksimum üretim hedefine ulaşabileceği düşünülüyor.
