Samsung'un yarı iletken bölümü, yaşanan bellek kıtlığı nedeniyle DRAM ve NAND flash fiyatlarındaki artışın da etkisiyle önemli bir toparlanma sürecine girmiş durumda. Şirket, bu segmentte yıl sonu itibarıyla sağlıklı bir kâr marjı elde etmeyi hedefliyor. Tahminlere göre, 2026 yılına kadar faaliyet kârında %121'lik bir artışla 69 milyar dolara ulaşılması bekleniyor. Bu hedefe ulaşmak için Samsung'un, yarı iletken bölümü stratejilerini ve üretim hatlarını güncelleyerek %50'lik bir kâr marjı yakalamayı amaçladığı belirtiliyor.
Samsung'un odak noktası, yüksek kâr marjı sunan ürünlerine kaynak aktarmak olacak. Bu ürünlerin başında DRAM geliyor. Elde edilen bilgilere göre, Koreli üretici, altıncı nesil 10nm DRAM olarak da bilinen '1c' teknolojisine odaklanıyor. Bu teknolojide verimliliğin artması, doğrudan kârlılığın yükselmesi anlamına geliyor. Mevcut durumda bu teknolojinin verimliliğinin %60 seviyesinde olduğu tahmin ediliyor, ancak bu oran %80-90 eşiğinin oldukça altında kalıyor.
Şu anda bellek ürünleri, Samsung'un en büyük gelir kaynağı olmaya devam ediyor ve artan talep sayesinde %50'lik bir kâr marjı sağlıyor. Ancak şirket, 2nm GAA (Gate-All-Around) sürecine de odaklanmaya başladı. Bu süreçte çip siparişlerinde %130'luk bir artış hedefleniyor. Mevcut verimliliğin %50 seviyesinde olduğu belirtilen 2nm GAA sürecinde Samsung, üretim işi (foundry) için daha iyi bir konuma gelmiş durumda. Hatta bir önceki raporlarda, bu işin 2027 yılına kadar kârlılığa ulaşmasının beklendiği ifade edilmişti.
Yapay zeka talebindeki patlama sayesinde Samsung'un DRAM faaliyet kârı %50'nin üzerinde seyrederken, Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) bu oranın altında kalıyor. En son bilgilere göre Samsung, kâr marjlarını artırmak için sunucu DRAM tedarikine odaklanacak. HBM teknolojisinin verimliliği stabil hale geldiğinde ise bu segmente de kaynak aktarımı yapılacak. Sektörün 2026 yılına kadar bellek fiyatlarının yükselmeye devam etmesini beklemesi nedeniyle, Samsung'un bu yeni stratejisinin yıl sonuna kadar etkili olması öngörülüyor.
