Samsung, yapay zeka ve yüksek performanslı bilgi işlem alanında devrim yaratacak yeni nesil HBM4 belleğinin seri üretimine ve sevkiyatına resmen başladı. 13 Gbps'ye varan hızlar ve 48 GB'a kadar kapasiteler sunan bu teknoloji, veri merkezleri için önemli bir adım olarak öne çıkıyor.
HBM4 bellek, NVIDIA'nın Vera Rubin'i ve AMD'nin Instinct MI450 serisi gibi güçlü veri merkezi çiplerinde yeni standart olacak. Bu yeni bellek nesli, yalnızca hız artışlarıyla değil, aynı zamanda sunduğu çeşitli yeniliklerle de dikkat çekiyor. Öne çıkan özellikler arasında 10 nm sınıfı DRAM Süreci Teknolojisi, 4 nm Mantık Süreci, 11.7-13.0 Gbps Pin Hızları, yığın başına 3.3 TB/s Bellek Bant Genişliği ve 16-Hi yığınlarda 48 GB kapasite bulunuyor.
Samsung, en gelişmiş 6. nesil 10 nanometre (nm) sınıfı DRAM işlemini (1c) kullanarak, seri üretime başlar başlamaz sektör lideri performans ve kararlı verim elde ettiğini duyurdu. Bu, herhangi bir ek yeniden tasarıma gerek kalmadan başarıldı.
Performans ve Verimlilikte Yeni Bir Standart
Samsung'un HBM4 belleği, saniyede 11.7 gigabit (Gbps) gibi tutarlı bir işlem hızı sunarak, sektör standardı olan 8 Gbps'yi yaklaşık %46 oranında aşıyor. Bu, önceki nesil HBM3E'nin maksimum pin hızı olan 9.6 Gbps'ye kıyasla 1.22 katlık bir artış anlamına geliyor. HBM4'ün performansı, yapay zeka modellerinin ölçeklenmesiyle artan veri darboğazlarını etkili bir şekilde azaltmak için 13 Gbps'ye kadar daha da artırılabiliyor. Ayrıca, tek bir yığın başına toplam bellek bant genişliği, HBM3E'ye kıyasla 2.7 kat artırılarak maksimum 3.3 terabayt/saniye (TB/s) seviyesine ulaşıyor.
12 katmanlı yığınlama teknolojisi ile Samsung, 24 GB ile 36 GB arasında değişen kapasitelerde HBM4 sunuyor. Şirket, 16 katmanlı yığınlama kullanarak kapasite seçeneklerini 48 GB'a kadar genişletecek ve müşteri taleplerine uyum sağlayacak.
Veri I/O'larının 1.024'ten 2.048 pine çıkmasından kaynaklanan güç tüketimi ve termal zorlukları ele almak için Samsung, çekirdek yongaya gelişmiş düşük güç tasarım çözümleri entegre etti. HBM4, düşük voltajlı silikon üzerinden geçirme (TSV) teknolojisi ve güç dağıtım ağı (PDN) optimizasyonundan yararlanarak güç verimliliğinde %40'lık bir iyileşme sağlıyor. Ayrıca, termal direncini %10 ve ısı dağılımını %30 oranında iyileştiriyor.
Samsung'un HBM4'ü, üstün performans, enerji verimliliği ve yüksek güvenilirliği ile geleceğin veri merkezlerine ulaşarak, müşterilerin GPU verimliliğini maksimize etmelerine ve toplam sahip olma maliyetlerini (TCO) etkin bir şekilde yönetmelerine olanak tanıyor.
Kapsamlı ve Çevik Üretim Yetenekleri
Samsung, sektördeki en büyük DRAM üretim kapasitelerinden ve özel altyapılarından yararlanarak HBM4 talebindeki artışı karşılamak için sağlam bir tedarik zinciri güvencesi sağlıyor. Şirketin Yarı İletken Üretimi (Foundry) ve Bellek Birimleri arasındaki sıkı entegre Tasarım Teknolojisi Eş Optimizasyonu (DTCO), en yüksek kalite ve verim standartlarını güvence altına alıyor. Ek olarak, gelişmiş paketleme alanındaki geniş şirket içi uzmanlık, üretim döngülerini kolaylaştırıyor ve teslim sürelerini azaltıyor.
Samsung ayrıca, gelecek nesil ASIC geliştirme odaklı küresel GPU üreticileri ve büyük veri sağlayıcılarıyla yakın istişarelere dayalı olarak, kilit ortaklarla teknik ortaklıklarının kapsamını genişletmeyi planlıyor. Şirket, 2026'da HBM satışlarının 2025'e göre üç katından fazla artmasını bekliyor ve HBM4 üretim kapasitesini proaktif olarak genişletiyor. HBM4'ün piyasaya başarılı bir şekilde sunulmasının ardından, HBM4E numunelerinin 2026'nın ikinci yarısında, özel HBM numunelerinin ise 2027'de ilgili spesifikasyonlarına göre müşterilere ulaşması bekleniyor.
