Samsung'un yeni Galaxy S26 serisi tanıtıldı ve bazı bölgelerde standart S26 ve S26+ modellerinde yer alan gizemli Exynos 2600 yongası, şanslı teknoloji meraklılarının eline ulaştı.
Exynos 2600 ve Snapdragon 8 Elite Gen 5 performans karşılaştırmasının sonuçlandığı kısa bir süre sonra, popüler teknoloji odaklı bir YouTube kanalı, Samsung'un en yeni amiral gemisi işlemcisinin termal performansını gözler önüne serdi ve sonuçlar oldukça sevindirici!
Samsung, Exynos 2600 Yonga Setiyle 'Isı Adası' Sorununu Nihayet Çözdü
Bir teknoloji inceleme kanalı, Galaxy S26 ve Galaxy S26+ modellerini Antutu, 3DMark ve CPU Throttling gibi çeşitli testlerle detaylıca inceledi. Exynos 2600 yongasının termal performansını ölçmek için, ekip en yüksek grafik ayarlarında League of Legends: Wild Thrift, Genshin Impact ve Honkai gibi oyunları art arda oynadı. Test sırasında ortam sıcaklığı yaklaşık 26 santigrat derece civarında sabit tutuldu.
League of Legends oynanışı sırasında Galaxy S26'nın ortalama sıcaklığı 32 santigrat derece olarak ölçüldü. Galaxy S26+ üzerinde 15 dakikayı aşkın Genshin Impact oynanışında, ön yüzey sıcaklığı en fazla 38 santigrat dereceye ulaşırken, arka yüzey sıcaklığı 37 ile 37.5 derece arasında dalgalandı. Ardından, Galaxy S26+ ile Honkai oynanışında, zaman zaman FPS düşüşleri yaşansa da cihazın ön tarafı maksimum 39 santigrat dereceye, arka tarafı ise 38 derecenin biraz üzerine çıktı.
Bu sonuçlar, geçmişte yaşadığı aşırı ısınma sorunlarıyla bilinen Exynos işlemcileriyle hayal kırıklığına uğrayan Samsung kullanıcıları için harika bir haber niteliğinde.
Teknik detaya girmek gerekirse, Samsung'un Exynos 2600'ün termal performansını iyileştirmesinde üç temel faktör rol oynuyor:
İlk olarak, Exynos 2600, Samsung'un 2nm Gate-All-Around (GAA) sürecini kullanan ilk yongası. Bu 3D transistör mimarisi, Gate'in dikey olarak istiflenmiş nano tabakalardan oluşan kanalı dört taraftan tamamen sarmalayarak daha iyi elektrostatik kontrol, daha düşük voltaj eşiği ve gelişmiş verimlilik sağlıyor.
İkinci olarak, yonga, daha küçük bir genel form faktörü sağlayan yeni Samsung FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) teknolojisini kullanıyor. Bu yaklaşım, geleneksel altlık tabanlı paketleme yerine, doğrudan silikonla bağlantı kurmaya olanak tanıyan ve daha ince, daha verimli çiplerin üretilmesini sağlayan bir yonga seviyesi yaklaşımı sunuyor. Temel olarak, giriş/çıkış terminallerini yarı iletken çipin dışına yerleştirerek, bunları geleneksel Baskılı Devre Kartı (PCB) yerine bir silikon yonga üzerine entegre ediyor.
Üçüncü olarak, Exynos 2600, AP ile doğrudan temas halinde olan ve DRAM'i yan tarafa taşıyan bakır tabanlı bir soğutucu olan yenilikçi Heat Path Block (HPB) teknolojisini kullanıyor. Bu teknoloji, termal dirençte yüzde 30'a varan iyileşme sağlıyor.
