Akıllı telefonların giderek artan işlem gücü, beraberinde ciddi soğutma sorunlarını da getiriyor. Bu soruna çözüm bulmak adına yeni nesil işlemcilerde daha gelişmiş teknolojiler kullanılması bekleniyor. Son gelen bilgilere göre, Qualcomm'un yeni nesil amiral gemisi işlemcisi Snapdragon 8 Elite Gen 6'da, Samsung'un geliştirdiği Heat Pass Block (HPB) teknolojisini kullanacağı iddia ediliyor.
Samsung'un HPB teknolojisi, mobil işlemcilerde sıcaklıkları düşürmeye ve termal performansı yüzde 16 oranında artırmaya yardımcı oluyor. Bu teknoloji daha önce Samsung'un Exynos 2600 işlemcisinde başarıyla kullanılmıştı. Şimdi ise, diğer yonga üreticilerinin de bu teknolojiyi kendi işlemcilerine entegre edeceği yönündeki raporların ardından, en yeni söylentiler Qualcomm'un bu adımı atacağını öne sürüyor. Buna göre, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro ve Snapdragon 8 Elite Gen 6 işlemcileri bu yıl içinde HPB teknolojisi ile piyasaya sürülebilir.
Önceki nesil Snapdragon 8 Elite Gen 5'in ulaştığı yüksek saat hızları göz önüne alındığında, buhar odaları gibi pasif soğutma çözümlerinin termal sınırlarına ulaşıldığı anlaşılıyor. Bu durum, yükselen sıcaklıkları kontrol altına almak için daha gelişmiş çözümlere olan ihtiyacı ortaya koyuyor. Yeni üretim teknolojileri bir miktar yardımcı olsa da, şirketlerin rekabette öne geçmek için agresif saat hızları hedeflemesi, saf litografi iyileştirmelerinin tek başına yeterli olmayacağını gösteriyor.
Qualcomm'un Yeni İşlemcisini Yüksek Saat Hızlarında Deniyor
Söylentilere göre Qualcomm, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro'yu 5.00 GHz gibi oldukça yüksek saat hızlarında test ediyor. Bu durum, HPB teknolojisinin halihazırda test aşamasında olabileceği ihtimalini güçlendiriyor.
HPB teknolojisi temelde, silikon yongaya (die) doğrudan yerleştirilen ve yanına bellek (DRAM) çipinin konulduğu bakır tabanlı bir soğutucu olarak tanımlanabilir. Eski nesil yonga tasarımlarında bellek, işlemcinin doğrudan üzerine yerleştirilirdi. Bu, bir ısı tuzağı oluşturarak işlemcinin nefes almasını zorlaştırır ve harici buhar odaları ile grafit levhaların tüm yükü üstlenmesine neden olurdu. Bakırın mükemmel bir ısı iletkeni olması sayesinde, işlemci sıcaklıklarının önemli ölçüde düşmesi bekleniyor.
Daha önce yapılan bir sızıntıda, Qualcomm'un yeni nesil 2nm yongasını 5.00 GHz'e kadar performans çekirdek hızlarına ulaştırmak için test ettiği belirtilmişti. Kontrollü bir laboratuvar ortamında, güç ve termal kısıtlamalar olmaksızın, bu işlemcilerin kapsamlı bir soğutma çözümü olmadan bu frekanslara ulaşması olası görünüyor. Ancak, bu işlemcileri bir akıllı telefonun dar alanına yerleştirdiğinizde durum tamamen değişiyor ve işte tam da burada Heat Pass Block teknolojisi devreye giriyor. Bu noktada, Qualcomm'un gelişmiş bir soğutma çözümü entegre etmesi zorunlu hale gelmiş durumda. Hatta benzer bir çözümün Snapdragon 8 Elite Gen 5'te de uygulanması gerektiği düşünülüyor.
Nitekim, Snapdragon 8 Elite Gen 5'in bazı testlerde rakip işlemcileri geride bırakabildiği ancak bunu yaparken daha yüksek güç tüketimine ihtiyaç duyduğu gözlemlenmişti. Bu agresif güç ölçeklendirme stratejisinin, yeni nesil Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro ve Snapdragon 8 Elite Gen 6 modellerinde de devam etmesi kuvvetle muhtemel. Bu nedenle, HPB teknolojisinin entegrasyonu daha da kritik bir hale geliyor.
