Çin'in teknolojik alanda kendi kendine yeterlilik yolundaki ilerlemesi son yıllarda dikkat çekici olsa da, henüz ASML'in sunduğu seviyede gelişmiş lityografi araçları geliştirebilmiş değil. Bu durum, yerli yarı iletken endüstrisinin önünde önemli bir engel teşkil ediyor. Ancak Nvidia CEO'su Jensen Huang, Çin'in yalnızca üç ila dört yıl içinde kendi gelişmiş lityografi sistemlerini geliştireceğine inanıyor.
Huang, bir röportajında yaptığı açıklamalarda, "2030 yılına kadar bu seviyeye ulaşacaklar," dedi. "2030 yılı çok yakın. Çin'i düşündüğümüzde, yüksek hacimli üretimde çok başarılı olduklarını görüyoruz. Bu sadece bir zaman meselesi [...] iki veya üç yıl bir göz kırpma kadar kısa; hiçbir şey ifade etmiyor. Dolayısıyla onlar için bu durum, artık orada oldukları anlamına geliyor."
Huang, Çin'in teknolojik gelişimine genellikle iyimser bir bakış açısıyla yaklaşıyor. Özellikle Çin'in yapay zeka endüstrisini, Amerikan laboratuvarlarının "hemen arkasında" olarak tanımlamasıyla biliniyor; bu durum, Çin'in yapay zekaya yaptığı büyük yatırımlar göz önüne alındığında doğru olabilir. Ancak genel olarak Çin'in yarı iletken endüstrisi ve özellikle lityografi sektörü söz konusu olduğunda, Huang'ın iyimserliği biraz abartılı olabilir.
Şu anda Çin'in önde gelen lityografi araçları üreticisi olan Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE), 90nm sınıfı çip üretiminde kullanılabilecek 193nm ArF kuru tarayıcıları seri olarak üretebiliyor. Şirketin 28nm'ye yetenekli ArF daldırmalı tarayıcı geliştirdiği bildiriliyor ancak bu tür sistemlerin seri olarak üretildiğine ve yüksek hacimli çip üretiminde kullanıldığına dair kamuya açık bir kanıt bulunmuyor.
SMEE'nin bir birimi veya iştiraki olan Shanghai Aishengna Electronic Technology Group'un, 28nm sınıfı işlem teknolojisi kullanarak çip basabilen ilk daldırmalı tarayıcısını teslim ettiğine dair raporlar olsa da, bu araçların yüksek hacimli yarı iletken üretimi için kullanıma hazır hale gelmeden önce kapsamlı bir yeterlilik sürecinden geçmesi gerekiyor. Bu nedenle, standart zaman çizelgelerine uyulursa, bu birimin seri çip üretimi için kullanılması yıllar sürecektir.
İlk tarayıcıların 2026'da Çinli çip üreticilerine teslim edildiğini varsaysak bile, 2028-2029'dan önce yaygın üretim kullanımına geçilmesi pek olası görünmüyor. Dahası, ilk nesil ASML daldırmalı tarayıcıların yeteneklerini yakalamak bile, Çinli lityografi tedarikçilerini ASML'in güncel sistemlerinden önemli ölçüde geride bırakacaktır. Bu durum, 2030 yılına kadar ArF daldırmalı lityografide teknolojik eşitliğin son derece zor olacağını gösteriyor.
Çin, aşırı ultraviyole (EUV) lityografi alanında ise daha da geride. Çinli bilim insanlarının, teknoloji için gereken 13.5 nanometrelik dalga boyunu üretebilen bir lazer üretimli plazma kaynağı geliştirmeyi başardıklarına dair raporlar olsa da, Çin'in henüz bir EUV tarayıcı prototipi bile bir araya getirmeye yakın görünmediği anlaşılıyor.
Çin, üretim kalitesinde daldırmalı DUV teknolojisinde ustalaşmadan bir EUV deneysel pozlama platformu bir araya getirebilse bile, bir Çinli şirketin hem DUV hem de EUV teknolojileri için en zorlu problemlerin bazılarını çözmeden EUV tarayıcıları üretmesi zor görünüyor. Üretim tipi bir lityografi tarayıcı, yalnızca birkaç örnek vermek gerekirse, wafer ve retikül aşamaları, hizalama, kaplama, projeksiyon optiği ve metroloji gibi olağanüstü yetenekler gerektirir.
Eğer Çin hala daldırmalı DUV için bu yetenekleri sanayileştirmekte zorlanıyorsa, aynı yetenekleri çok daha zorlu olan EUV seviyesinde bir şekilde çözdüğünü varsaymak için pek sebep yok. Ancak yapay zeka yarışındaki potansiyel varoluşsal riskler ve Çin hükümetinin teknolojik kendi kendine yeterliliğe ulaşma konusundaki kararlılığı göz önüne alındığında, bu gerçekten de zaman meselesi olabilir.
