Intel'in eski CEO'su Pat Gelsinger, Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) teknolojisine yönelik eleştirilerini yineleyerek, bu mimariyi "berbat" olarak nitelendirdi. HBM'nin bit yoğunluğu, termal sorunlar ve bant genişliği sınırlamaları gibi konularda ciddi eksiklikleri olduğunu belirten Gelsinger, buna rağmen mevcut seçenekler arasındaki en iyisi olduğunu da ekledi. Bu durum, HBM üretimine kayan kaynakların standart DRAM üretimini azaltmasıyla birlikte, önümüzdeki 2028 yılına kadar DRAM kıtlığının süreceği tahminlerini güçlendiriyor.
Daha Önce HBM'yi "Yetersiz" Olarak Nitelendiren Eski CEO, Eleştirilerini Yoğunlaştırdı
Intel'in eski tepe yöneticisi, geniş kapsamlı bir röportajda Yüksek Bant Genişlikli Bellek (HBM) çözümlerini sert bir dille eleştirdi. HBM'nin temel sorunlarından birinin, fiziksel bağlantılar arasındaki bant genişliği darboğazı olduğunu belirtti. Bu darboğaz, işlemci yongasının çevresindeki sınırlı alan nedeniyle oluşuyor ve HBM yığınlarının sayısını kısıtlıyor.
HBM, çok sayıda paralel bağlantı gerektiren "geniş ve yavaş" bir mimariye sahip. Örneğin, HBM3/3E'nin veri yolu genişliği 1.024 bit iken, HBM4'te bu değer 2.048 bit'e çıkıyor. Bu durum, tek bir HBM arayüzünün çok sayıda fiziksel bağlantı ve pim gerektirmesine neden oluyor. Bu pimlerin her biri için sürücü, alıcı ve yönlendirme mantığı içeren katman, işlemci yongasının kenarında büyük bir alan kaplıyor.
Sonuç olarak, bu katman işlemci yongasının kenarında devasa, değişmez bir silikon bloğu oluşturuyor. Bu kenar, bir çipin yanına yerleştirilebilecek HBM yığınlarının sayısında ciddi bir sınırlama yaratıyor. Ayrıca, işlemci yongasının genellikle yalnızca iki kenarı HBM için ayrılabilirken, kalan iki kenar sistem I/O'su için ayrıldığından, kenar bant genişliği sorunu daha da derinleşiyor.
Bu kısıtlamalar yetmezmiş gibi, söz konusu katman, HBM'nin verimliliğini önemli ölçüde düşürebilecek bir termal hotspot (sıcak nokta) oluşturuyor. Yapılan analizler, düşük bellek kullanımında işlemci çekirdeğinin ısı üretiminin baskın olduğunu, ancak HBM güç tüketimi yaklaşık 30 Watt'ı aştığında, HBM katmanının kendi ürettiği ısının bellek termal stresinin ana kaynağı haline geldiğini gösteriyor.
Son olarak, HBM yığınındaki bireysel DRAM çiplerinin çok sayıda Through Silicon Via (TSV) aracılığıyla bağlanması gerektiği, bu durumun tek bir çipe yerleştirilebilecek bellek hücrelerinin sayısını azalttığı ve dolayısıyla her bir DRAM çipinin önemli ölçüde daha düşük bir bit yoğunluğuna sahip olduğu belirtiliyor. Bütün yığının milimetrekare başına daha yüksek bir yoğunluk sunmasına rağmen, bu mimari yaklaşım bireysel çip düzeyinde verimliliği düşürüyor.
Gelsinger'in Temmuz ayında da HBM'yi "yetersiz" bir bellek olarak nitelendirdiği biliniyor. Bu durum, HBM'nin standart DRAM'e göre yaklaşık 3 kat daha fazla wafer tüketmesiyle birleşince, standart DRAM'de kronik bir arz açığına neden oluyor. Son olarak, yapılan açıklamalarla DRAM kıtlığının 2028'in başlarına kadar sürmesi bekleniyor.
