Intel, 1.8nm sınıfındaki 18A üretim teknolojisinde önemli gelişmeler kaydettiğini duyurdu. Şirketin üzerinde titizlikle çalıştığı bu teknolojinin geliştirilmiş versiyonu 18A-P, yakın gelecekte seri üretime hazır hale geliyor. 18A-P, sunduğu iki yeni transistör türü, daha sıkı süreç değişkenlik kontrolü ve iyileştirilmiş termal performans ile daha yüksek performans ve daha düşük güç tüketimi vaat ediyor. Bu gelişmelerin, Apple gibi fason çip üreticilerinin 18A-P'yi kullanmayı değerlendirmesine neden olduğu söyleniyor.
Intel'in paylaştığı bilgilere göre, 18A-P üretim süreci, çip geliştiricilere mevcut güç tüketiminde %9 daha fazla performans artışı veya aynı performansta %18 daha az güç tüketimi imkanı sunuyor. Bu başarıya ulaşmak için Intel, yüksek performanslı ve geliştirilmiş kontaklara sahip Gate-All-Around RibbonFET transistörlerinin yanı sıra yeni düşük güçlü transistörler de geliştirdi. Bu yenilikler sayesinde tasarımcılar, kritik yollarda daha yüksek frekanslara çıkabilir ve daha az yoğun bölgelerde güç tüketimini azaltarak genel performans verimliliğini büyük ölçüde artırabilir.
18A-P, 18A'nın 50nm'lik kontaklı hat aralığı ve 180nm/160nm'lik kütüphane yüksekliklerini korurken, temel süreçle tasarım uyumluluğunu da sürdürüyor. Bu, başlangıçta 18A için tasarlanmış bir çipin, bazı süreç iyileştirmelerinden faydalanmak üzere 18A-P'ye taşınabileceği anlamına geliyor. Ancak, performans ve verimlilik kazanımlarından tam olarak yararlanmak için tasarımın yeniden optimize edilmesi gerekecektir.
18A-P'nin 18A'ya kıyasla bir diğer önemli iyileştirmesi ise %30'luk bir köşe daraltmasıdır. Bu iyileştirme, değişkenliği azaltarak verim verimliliğini artırıyor. Hızlı ve yavaş silikon arasındaki farkı daraltarak 'tipik' silikona daha yakın hale getiriyor ve ayrıca wafer üzerindeki merkezden kenara olan varyasyonu da azaltıyor. Ek olarak, üretim düğümü ek eşik voltajı (VT) seçenekleri sunuyor (18A'daki 4 çiftten fazla 5+ çift mantık VT'si), bu da daha hassas gruplandırma ve daha tutarlı çip davranışı sağlayarak hedef spesifikasyonları karşılayan die oranını artırıyor. Bu, parametrik verimliliği artırarak çip tasarımcılarının tek bir wafer'dan daha fazla üst düzey silikon elde etmesine olanak tanıyor. Süreç köşelerinin daraltılmasının, kenar pürüzliliği (LER) ve stokastik değişkenlik gibi mevcut zorluklar devam ettiği için kusur yoğunluğunu etkilemediği belirtiliyor.
Intel'in 18A-P'si, temel düğümün kontaklı hat aralığını korurken, metal yığınının direncini ve kapasitansını da optimize etti. Bu değişiklikler, sinyal hızı, güç tüketimi ve zamanlama üzerinde etki yaratıyor. Ancak, Intel bu spesifik değişiklikleri detaylandırmadı.
Son olarak, 18A-P, hem son kullanıcı hem de veri merkezi uygulamalarına yönelik gelişmiş bir işlem teknolojisi için kritik öneme sahip olan termal, güvenilirlik ve voltaj davranışlarında iyileştirmeler getiriyor. Intel'e göre termal iletkenlik %50 oranında artırıldı. Daha düşük termal direnç, Gate-All-Around transistörleriyle ilişkili daha yüksek güç yoğunluklarının yönetilmesine yardımcı oluyor, bu da özellikle son kullanıcı uygulamaları için büyük önem taşıyor. Geliştirilmiş mantık negatif kutuplama sıcaklık kararsızlığı (NBTI), yüksek voltaj stresi altındaki uzun vadeli cihaz kararlılığını artırarak veri merkezi işlemcileri için kritik bir rol oynuyor. Son olarak, 18A-P, mantık ve SRAM minimum çalışma voltajını (Vmin) daha iyi hizalayarak düşük voltajlı çalışma ve kararlılığı iyileştiriyor.
Intel'in 18A-P'si, 18A'nın oldukça optimize edilmiş bir versiyonu olarak, sadece daha yüksek performans verimliliği sunmakla kalmayıp, aynı zamanda parametrik verimlilik, termal ve güvenilirlik gibi konuları da ele alıyor. Tüm bu iyileştirmeler, 18A-P'yi sadece Intel için değil, Apple gibi potansiyel dış müşteriler için de 18A'nın daha olgun ve çekici bir versiyonu haline getiriyor.
