Teknoloji devi Intel, çip üretimindeki mevcut zorluklardan ve yapay zeka altyapısının hızla gelişmesinden yararlanmak amacıyla hafıza pazarında yeniden iddialı bir giriş yapmaya hazırlanıyor. SoftBank'ın bir iştiraki ile işbirliği yaparak, özellikle yapay zeka uygulamaları için daha verimli ve yüksek kapasiteli yeni bir hafıza teknolojisi olan Z-Angle Memory (ZAM)'u geliştireceği duyuruldu.
Intel'in ZAM Hafıza Modülleri, Yenilikçi Bağlantı Teknolojisiyle Daha Yüksek Güç Verimliliği Sunuyor
Yapay zeka altyapılarının inşasının bu yıl zirveye ulaşmasıyla birlikte, büyük veri merkezleri ve çip üreticilerinin artan talebi, DRAM'a olan ihtiyacı devasa ölçüde yükseltti. Dünya genelinde hafıza tedarikçilerinin sınırlı olması nedeniyle tedarik zincirinde büyük bir darboğaz yaşanıyor. Bu durum, yeni oyuncuların pazara girmesi gerekliliğini ortaya koyuyor. İşte bu noktada Intel'in hafıza işine yeni bir bakış açısıyla yaklaştığı belirtiliyor. Intel'in, SoftBank'ın Saimemory şirketi ile işbirliği yaparak Z-Angle Memory (ZAM) adında yeni bir standart geliştireceği iddia ediliyor.
ZAM hafıza teknolojisini geliştirmeye yönelik çalışmaların, daha önce ABD Enerji Bakanlığı tarafından başlatılan Gelişmiş Hafıza Teknolojisi (AMT) programı kapsamında başladığı ve bu süreçte Intel'in "gelecek nesil" DRAM birleştirme teknolojisini sergilediği bildiriliyor. SoftBank'ın basın bülteninde Z-Angle Memory'nin tam olarak nasıl konumlandırılacağına dair spesifik bir detay bulunmasa da, Intel'in DRAM birleştirme teknolojisi hakkındaki bilgilerden yola çıkarak, ZAM'ın bağlantıları doğrudan yığın içine yönlendirmek yerine, yığın içindeki bağlantı topolojisini kademeli olarak yönlendiren bir yapıda olacağı öngörülüyor.
"Z-Angle" yaklaşımı sayesinde Intel, silikon alanının önemli bir bölümünü bellek hücreleri için etkili bir şekilde kullanabilecek. Bu, daha yüksek yoğunluklar ve daha düşük termal direnç anlamına geliyor. DRAM birleştirme teknolojisinin nasıl görünebileceğine bakıldığında, ZAM'ın katmanlar arası füzyonu daha verimli hale getiren ve ayrı yığınlar yerine "monolitik benzeri" bir silikon blok oluşturan bir bakır-bakır hibrit birleştirme kullanabileceği düşünülüyor. Ayrıca, ZAM'ın kapasitörsüz bir tasarım olacağı söylendiğinden, Intel'in EMIB teknolojisinin hafızayı yapay zeka çipine bağlamak için kullanılacağı görülüyor.
SoftBank'ın ZAM konusundaki Intel ile işbirliği, şirketin hafıza yığınını da kendi kontrolüne almasına olanak tanıyacak. Bu, şirketin Izanagi serisi gibi özel ASIC'leri ile birlikte piyasaya sürülebilir ve firmaya mimari düzen üzerinde daha fazla kontrol sağlayabilir. HBM ile ZAM arasındaki etkin artışlara ilişkin rakamlar henüz net olmasa da, Z-Angle yaklaşımı hafızaya daha iyi güç verimliliği ve daha yüksek yoğunluklar sunarak nihayetinde daha yüksek katmanlı yığınlamayı mümkün kılıyor. İşte HBM ve ZAM arasındaki olası karşılaştırmalar:
- %40-50 Daha Düşük Güç Tüketimi
- Z-Angle Bağlantılarıyla Basitleştirilmiş Üretim
- Çip Başına Daha Yüksek Depolama (512 GB'a Kadar)
Intel'in DRAM segmentinde daha önce de girişimleri olmuştu. Şirketin bu alanda özel bir iş birimi bulunuyordu ancak 1985 yılında Japon satıcıların rekabeti sonucu pazar payındaki düşüş nedeniyle bu işten çekilmişti. Ancak, hafızanın şirketler için bu kadar önemli bir fırsat yarattığı bu dönemde, Intel'in ZAM teknolojisinin bir etki yaratıp yaratmayacağını görmek ilginç olacak. Bunu başarmanın etkili yollarından biri ise NVIDIA gibi liderleri bu teknolojiyi entegre etmeye ikna etmek olacaktır.
