Teknoloji dünyasında heyecan verici bir gelişme yaşanıyor. IBM ve Lam Research, yarı iletken sektöründe çip üretimini yeni bir seviyeye taşıyacak beş yıllık bir iş birliğine imza attı. Bu ortaklık, özellikle 1 nanometrenin altında mantık çiplerinin (logic chips) ölçeklendirilmesi için gerekli malzeme ve üretim süreçlerinin geliştirilmesine odaklanacak. High NA EUV litografi ve Lam Research'ün Aether kuru direnç teknolojisi, bu hedefe ulaşmada kilit rol oynayacak.
İki köklü şirket, uzun yıllardır süregelen başarılı iş birliklerini bu yeni anlaşmayla taçlandırıyor. Daha önce 7nm süreç geliştirmeleri, nanosheet transistör mimarisi ve erken EUV süreç entegrasyonu gibi alanlarda birlikte çalışan IBM ve Lam Research, 2021'de IBM'in dünyanın ilk 2nm çipini tanıttığı ortaklığın devamı niteliğinde bu anlaşmaya imza atmış oldu. Yeni anlaşma kapsamında, Lam Research'ün Kiyo ve Akara aşındırma platformları, Striker ve ALTUS Halo biriktirme sistemleri ve Aether kuru direnç teknolojisi kullanılarak nanosheet ve nanostack cihaz mimarileri ile arka yüz güç dağıtımı için tam süreç akışlarının doğrulanması hedefleniyor.
Geleneksel EUV litografi, kimyasal olarak güçlendirilmiş dirençlere dayanıyor. Ancak bu ıslak işlem malzemeleri, yüksek NA EUV tarayıcılarının gerektirdiği daha sıkı toleranslarla mücadele etmekte zorlanabiliyor. Lam Research'ün Aether teknolojisi ise bu noktada fark yaratıyor. Buhar fazı öncülleri aracılığıyla biriktirilen ve plazma tabanlı kuru işlemlerle geliştirilen bu teknoloji, geleneksel karbon bazlı direnç malzemelerinden üç ila beş kat daha fazla EUV ışığı emebiliyor. Bu da wafer başına gereken pozlama dozunu azaltarak, daha maliyetli çoklu desenleme yöntemlerine başvurmadan gelişmiş düğümlerde tek baskı desenlemeyi mümkün kılıyor. Lam Research, geçtiğimiz Ocak ayında Aether teknolojisinin önde gelen bir bellek üreticisi tarafından en gelişmiş DRAM süreçleri için üretim aracı olarak seçildiğini duyurmuştu.
Bu iş birliği, High NA EUV desenlerinin gerçek cihaz katmanlarına yüksek verimlilikle güvenilir bir şekilde aktarılmasını sağlamayı ve High NA EUV'nin yeni nesil ara bağlantı ve cihaz desenlemede endüstri tarafından benimsenmesini hızlandırmayı amaçlıyor. Aether kuru direnç teknolojisi, ıslak işlemlere kıyasla pozlama ve aşındırma arasındaki adım sayısını azaltarak, daha dar geometrilerde desen bozulması olasılığını düşürdüğü için desen aktarımındaki verimlilik sorununda önemli bir avantaja sahip.
Nanosheet transistörler ise, cihaz ayak izini genişletmeden sürüş akımını artırmak için birden fazla ince silikon tabakasını üst üste yığarak çalışıyor. Yapılan açıklamaya göre, ekipler nanosheet ve nanostack cihazlar için tam süreç akışlarını, arka yüz güç dağıtımı ile birlikte geliştirecek ve doğrulayacak. Arka yüz güç dağıtımı, wafer'ın arka tarafından güç yönlendirerek ön yüz ara bağlantı katmanlarını sinyal yönlendirme için serbest bırakıyor.
Yapılan ortak açıklamada, "Birlikte, bu yetenekler High-NA EUV desenlerinin yüksek verimlilikle gerçek cihaz katmanlarına güvenilir bir şekilde aktarılmasını sağlamayı, sürekli ölçeklendirmeyi, geliştirilmiş performansı ve gelecekteki mantık cihazları için üretim yollarını mümkün kılmayı hedefliyor" ifadeleri kullanıldı.
