Bellek teknolojilerinde devrim yaratma potansiyeli taşıyan bir gelişme yaşandı. NEO Semiconductor adlı şirket, mevcut DRAM belleklerin kapasitesini katbekat artırmayı hedefleyen yeni bir teknolojiyi duyurdu: 3D X-DRAM.
Şirket tarafından tanıtılan 1T1C ve 3T0C adı verilen iki yeni 3D X-DRAM hücre tasarımı, ticari olarak piyasaya sürülen mevcut DRAM modüllerinden en az 10 kat daha fazla kapasite sunma potansiyeline sahip. Bu yeni tasarımlarla tek bir modül üzerinde 512 Gb (64 GB) kapasiteye ulaşılması hedefleniyor.
NEO Semiconductor'ın simülasyon testlerine göre, bu yeni belleklerin okuma/yazma hızları 10 nanosaniye civarında ve veri saklama süresi (retention time) 9 dakikanın üzerinde. Bu değerler de mevcut DRAM teknolojileri için oldukça iddialı.
Yeni 3D X-DRAM hücreleri, genellikle ekran teknolojilerinde kullanılan İndiyum Galyum Çinko Oksit (IGZO) adı verilen bir kristal malzemeye dayanıyor. Tasarım, 3D NAND depolama yongalarına benziyor; hücreler üst üste istiflenerek daha yüksek kapasite ve verimlilik sağlarken, enerji tüketimini düşük tutmayı başarıyor. NEO, mevcut 3D NAND üretim tesislerinin bu yeni tasarımları üretmek için kolayca yükseltilebileceğini umuyor.
NEO CEO'su Andy Hsu, bu teknolojiyle bellek alanında nelerin mümkün olduğunu yeniden tanımladıklarını belirterek, mevcut DRAM'lerin ölçekleme sınırlamalarını aştıklarını ve yeni nesil bellek teknolojilerinde öncü bir konuma geldiklerini ifade etti.
Şirketin bu yeni 3D X-DRAM tasarımları için ilk prototip test yongalarını 2026 yılında üretmeyi planladığı belirtiliyor. 512 Gb'lık modül vaadi oldukça dikkat çekici olsa da, bu teknolojinin pazarda yer edinmesi için rekabetçi bir ortamda önemli bir mücadele vermesi gerekecek.
