Geleceğin yarı iletken teknolojileri hakkında heyecan verici tahminler gelmeye devam ediyor. Kore Yarı İletken Mühendisleri Enstitüsü'nün yayınladığı 'Yarı İletken Teknoloji Yol Haritası 2026', önümüzdeki 15 yıl içinde yarı iletkenlerin evrimine ışık tutuyor. Henüz yakın zamanda tanıtılan 2nm G GAA (Gate-All-Around) teknolojisine sahip yongaların ardından, 2040 yılına gelindiğinde yarı iletken devrelerin 0.2 nanometreye ulaşarak Angstrom (A) dönemine gireceği öngörülüyor. Elbette, bu hedeflere ulaşmak için önümüzde önemli zorluklar ve aşılması gereken engeller bulunuyor.
Yarı İletken Gelişimine Dair Diğer Dikkat Çekici Tahminler
Raporda yer alan diğer önemli tahminler arasında, NAND flash bellek katmanlarının 321'den 2.000'e çıkması ve yapay zeka yarı iletkenlerinin saniyede on trilyonlarca işlem gerçekleştirebilmesi yer alıyor. Bu yol haritasının temel amacı, uzun vadeli yarı iletken teknolojisi ve endüstri rekabet gücünü artırmak, akademik araştırmaları canlandırmak ve insan kaynakları geliştirme stratejileri oluşturmak olarak belirtiliyor. Enstitünün sunduğu yol haritası, yarı iletken cihazlar ve süreçleri, yapay zeka yarı iletkenleri, optik bağlantı yarı iletkenleri, kablosuz bağlantı yarı iletken sensörleri, kablolu bağlantı yarı iletkenleri, PI M, paketleme ve kuantum hesaplama gibi dokuz temel teknoloji alanını kapsıyor.
Şu anda en düşük litografi teknolojisine sahip olan Samsung'un 2nm GAA teknolojisi olsa da, teknoloji devi bu üretim süreçlerinin daha gelişmiş versiyonları üzerinde de çalışıyor. Örneğin, ikinci nesil 2nm GAA düğümünün temel tasarımını tamamlayan şirket, üçüncü nesil 2nm GAA teknolojisi olan SF2P+'yı iki yıl içinde uygulamayı hedefliyor. 2040 yılına gelindiğinde ise 0.2nm sürecinde CFET (Complementary Field Effect Transistor) adı verilen yeni nesil transistör yapısının ve monolitik 3D tasarımın kullanılacağı tahmin ediliyor.
Gelecek nesil yarı iletken üretiminde Güney Kore'nin lideri konumunda olan Samsung, aynı zamanda 1nm çip geliştirme üzerine araştırmalara başlamak üzere bir ekip kurduğu ve 2029 için seri üretim hedefi belirlediği konuşuluyor. Bu gelişmelerin sadece mobil işlemcilerle sınırlı kalmayacağı, aynı zamanda DRAM belleklerin 11nm'den 6nm'ye düşeceği ve Yüksek Bant Genişliği Bellek'in (HBM) 12 katmandan 30 katmana ve 2TB/s bant genişliğinden 128TB/s'ye yükseleceği öngörülüyor. NAND tarafında ise SK Hynix'in geliştirdiği 321 katmanlı QLC teknolojisinin yanı sıra, 2.000 katmanlı QLC NAND teknolojisine ulaşılacağı belirtiliyor. Son olarak, yapay zeka işlemcileri şu anda saniyede 10 TOPS (trilyon işlem) gerçekleştirebilirken, önümüzdeki on beş yıl içinde öğrenme için saniyede 1.000 TOPS, çıkarım için ise saniyede 100 TOPS gücünde yongalara sahip olabileceğimiz ifade ediliyor.
